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产品规格
封装形式: TO-252
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 10.8A |
| Rds（ ）@ ID，VGS | 12.3 mOhm @ 12.7A, 10V |
| VGS（TH）（ ）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 50nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2775pF @ 20V |
| 功率 - | 2.4W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3TO-252 |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源电压 | 40 V |
| 连续漏极电流 | 10.8 A |
| RDS -于 | 12.3@10V mOhm |
| 门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 7 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 典型下降时间 | 15 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 6.22(Max) |
| PCB | 2 |
| 功率耗散 | 2400 |
| 漏源电压 | 40 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 漏源电阻 | 12.3@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-252 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 6.73(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 包装高度 | 2.39(Max) |
| 连续漏极电流 | 10.8 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10.8A (Ta), 50A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （ ）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | TO-252 |
| 开态Rds（ ）@ Id ，V GS | 12.3 mOhm @ 12.7A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 2.4W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2775pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 50nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDD4141CT |
| 漏极电流（ 值） | 10.8 A |
| 频率（ ） | Not Required MHz |
| 栅源电压（ 值） | �20 V |
| 输出功率（ ） | Not Required W |
| 功率耗散 | 2.4 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 12.3 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-252 |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 40 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 10.8 A |
| 晶体管极性 | :P Channel |
| Continuous Drain Current Id | :-50A |
| Drain Source Voltage Vds | :-40V |
| On Resistance Rds(on) | :0.0101ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-1.8V |
| 功耗 | :69W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-252 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
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源自：深圳市铭顺信电子有限公司
官网：www.msxic.cn
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