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产品规格
可售数量: 5000个
标准包装 | 30 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 26A |
Rds( )@ ID,VGS | 200 mOhm @ 13A, 10V |
VGS(TH)( )@ Id | 4.5V @ 4mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 95nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3900pF @ 25V |
功率 - | 300W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247AD |
包装材料 | Tube |
动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16390?mpart=IXFH26N50Q&vendor=238&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0 |
门源电压 | ±20 |
安装 | Through Hole |
包装宽度 | 5.3(Max) |
PCB | 3 |
功率耗散 | 300000 |
漏源电压 | 500 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
漏源电阻 | 200@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-247AD |
标准包装名称 | TO-247-AD |
高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 16.26(Max) |
引脚数 | 3 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 21.46(Max) |
连续漏极电流 | 26 |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 26A (Tc) |
的Vgs(th ) ( )@ Id | 4.5V @ 4mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
供应商设备封装 | TO-247AD |
开态Rds( )@ Id ,V GS | 200 mOhm @ 13A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - | 300W |
标准包装 | 30 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3900pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 95nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-247-3 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 26 A |
封装/外壳 | TO-247AD |
下降时间 | 16 ns |
产品种类 | MOSFET |
单位重量 | 0.229281 oz |
配置 | Single |
高工作温度 | + 150 C |
正向跨导 - 闵 | 24 s |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 55 ns |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | IXFH26N50 |
RDS(ON) | 200 mOhms |
安装风格 | Through Hole |
功率耗散 | 300 W |
低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 30 ns |
漏源击穿电压 | 500 V |
漏极电流( 值) | 26 A |
频率( ) | Not Required MHz |
栅源电压( 值) | �20 V |
输出功率( ) | Not Required W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.2 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-247AD |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 500 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
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源自:深圳市铭顺信电子有限公司
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