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现货供应 IRFB0APBF FB0A TO-220 600V/6.2A N 沟道场效应 出售原装IRFBC40APBF

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可售数量: 50000PCS

深圳市铭顺信电子有限公司

17年

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广东深圳

所在地区

10.0

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图文详情
产品属性
标准包装1,000
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C6.2A
Rds( )@ ID,VGS1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
VGS(TH)( )@ Id4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS42nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的1036pF @ 25V
功率 - 125W
安装类型Through Hole
包/盒TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
包装材料Tube
包装3TO-220AB
通道模式Enhancement
漏源电压600 V
连续漏极电流6.2 A
RDS -于1200@10V mOhm
门源电压±30 V
典型导通延迟时间13 ns
典型上升时间23 ns
典型关闭延迟时间31 ns
典型下降时间18 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
门源电压±30
包装宽度4.65(Max)
PCB3
功率耗散125000
漏源电压600
欧盟RoHS指令Compliant
漏源电阻1200@10V
每个芯片的元件数1
低工作温度-55
供应商封装形式TO-220AB
标准包装名称TO-220
高工作温度150
渠道类型N
包装长度10.51(Max)
引脚数3
包装高度9.01(Max)
连续漏极电流6.2
标签Tab
铅形状Through Hole
P( TOT )125W
匹配代码IRFBC40APBF
R( THJC )1.0K/W
LogicLevelNO
单位包50
标准的提前期14 weeks
小起订量1000
Q(克)42nC
无铅DefinRoHS-conform
汽车NO
我(D )6.2A
V( DS )600V
技术HighV.
的RDS(on ) at10V1.2Ohm
FET特点Standard
封装Tube
安装类型Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C6.2A (Tc)
的Vgs(th ) ( )@ Id4V @ 250µA
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB
其他名称*IRFBC40APBF
开态Rds( )@ Id ,V GS1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 125W
漏极至源极电压(Vdss)600V
输入电容(Ciss ) @ VDS1036pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS42nC @ 10V
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
类别Power MOSFET
配置Single
外形尺寸10.41 x 4.7 x 9.01mm
身高9.01mm
长度10.41mm
漏源电阻1.2 Ω
高工作温度+150 °C
功率耗散125 W
低工作温度-55 °C
包装类型TO-220AB
典型栅极电荷@ VGS42 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS1036 pF V @ 25
宽度4.7mm
工厂包装数量1000
产品种类MOSFET
晶体管极性N-Channel
源极击穿电压+/- 30 V
连续漏极电流6.2 A
安装风格Through Hole
RDS(ON)1.2 Ohms
功率耗散125 W
上升时间23 ns
漏源击穿电压600 V
RoHSRoHS Compliant By Exemption
下降时间18 ns
漏极电流( 值)6.2 A
频率( )Not Required MHz
栅源电压( 值)�30 V
输出功率( )Not Required W
噪声系数Not Required dB
漏源导通电阻1.2 ohm
工作温度范围-55C to 150C
极性N
类型Power MOSFET
元件数1
工作温度分类Military
漏极效率Not Required %
漏源导通电压600 V
功率增益Not Required dB
弧度硬化No
删除Compliant
Continuous Drain Current Id:6.2A
Drain Source Voltage Vds:600V
On Resistance Rds(on):1.2ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Threshold Voltage Vgs:4V
功耗:125W
Operating Temperature Min:-55°C
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:TO-220AB
No. of Pins:3
MSL:-
Current Id Max:6.2A
Current Temperature:25°C
Full Power Rating Temperature:25°C
Junction to Case Thermal Resistance A:1.3°C/W
No. of Transistors:1
工作温度范围:-55°C to +150°C
Pulse Current Idm:25A
端接类型:Through Hole
Voltage Vds Typ:600V
Voltage Vgs Max:30V
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Voltage Vgs th Max:4V

电子元器件专业配套 配套范围内:

集成电路 IC芯片 二三极管 光耦 继电器 电源模块 IGBT 可控硅 

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源自:深圳市铭顺信电子有限公司


官网:www.msxic.cn


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IRFB0APBF FB0A TO-220 600V/6.2A N沟道场效应【出售原装】示例图4
 

品牌 原装
型号 IRFBC40APBF
种类 绝缘栅(MOSFET)
沟道类型 N沟道
导电方式 增强型
类型 其他IC
封装 TO-220
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