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产品规格
可售数量： 5000PCS
| 安装类型 | 通孔 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 15.9mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1300 pF@ 25 V |
| 系列 | HEXFET |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 20.3mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 漏源电阻值 | 117 mΩ |
| 栅阈值电压 | 4V |
| Board Level Components | Y |
| 高工作温度 | +175 °C |
| 通道类型 | P |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 功率耗散 | 140 W |
| 栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 5.3mm |
| 尺寸 | 15.9 x 5.3 x 20.3mm |
| 小栅阈值电压 | 2V |
| 漏源电压 | 100 V |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns |
| 典型关断延迟时间 | 51 ns |
| 封装类型 | TO-247AC |
| 连续漏极电流 | 23 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 97 nC @ 10 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 117 mOhms |
| 工厂包装数量 | 575 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 100 V |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Qg - Gate Charge | 64.7 nC |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| Id - Continuous Drain Current | - 21 A |
| 封装 | Tube |
| 身高 | 20.7 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 长度 | 15.87 mm |
| 通道数 | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation | 120 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
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源自：深圳市铭顺信电子有限公司
官网：www.msxic.cn
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