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≥200PCS
产品规格
封装形式: TO-247
| 标准包装 | 30 |
| IGBT 型 | PT |
| 电压 - 集电极发射极击穿（ ） | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 25A |
| - 集电极电流（Ic）（ ） | 69A |
| 功率 - | 417W |
| Input 型 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 [B] |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-247 |
| 配置 | Single |
| 集电极发射极电压 | 1200 V |
| 连续集电极电流 | 69 A |
| 栅极发射极电压 | ±30 V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 供应商封装形式 | TO-247 |
| 栅极发射极电压 | ±30 |
| 连续集电极电流 | 69 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-247 |
| 渠道类型 | N |
| 集电极发射极电压 | 1200 |
| 功率耗散 | 417000 |
| 低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 栅极电荷 | 110nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（ ） | 69A |
| 安装类型 | Through Hole |
| 开关能量 | 500µJ (on), 440µJ (off) |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 12ns/70ns |
| Vce（开） （ 值） Vge，Ic时 | 3.9V @ 15V, 25A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（ ） | 1200V |
| 供应商设备封装 | TO-247 [B] |
| 封装 | Tube |
| 功率 - | 417W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| IGBT类型 | PT |
| 测试条件 | 600V, 25A, 5 Ohm, 15V |
| 电流 - 集电极脉冲（ ICM ） | 90A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极 - 发射极电压 | 1200 V |
| 包装类型 | TO-247 |
| 工作温度（ ） | 150C |
| 工作温度（ 小值） | -55C |
| 工作温度分类 | Military |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | �30 V |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 69 A |
| 工厂包装数量 | 1 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 3.3 V |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 连续集电极电流Ic | 69 A |
| 技术 | Si |
| 品牌 | Microsemi |
| Pd - Power Dissipation | 417 W |
| 连续集电极电流在25 C | 69 A |
| 集电极 - 发射极 电压VCEO | 1.2 kV |
| 身高 | 5.31 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 宽度 | 16.26 mm |
| 长度 | 21.46 mm |
| 栅 极漏泄电流 | 100 nA |
| 低工作温度 | - 55 C |
| 高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 69 A |
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源自：深圳市铭顺信电子有限公司
官网：www.msxic.cn
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