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IRF1010E铁头F1010E 场效应管 84A 60V N沟道 出售原装 现货供应

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深圳市铭顺信电子有限公司

17年

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广东深圳

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产品属性
标准包装50
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C84A
Rds( )@ ID,VGS12 mOhm @ 50A, 10V
VGS(TH)( )@ Id4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS130nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的3210pF @ 25V
功率 - 200W
安装类型Through Hole
包/盒TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
包装材料Tube
包装3TO-220AB
通道模式Enhancement
漏源电压60 V
连续漏极电流84 A
RDS -于12@10V mOhm
门源电压±20 V
典型导通延迟时间12 ns
典型上升时间78 ns
典型关闭延迟时间48 ns
典型下降时间53 ns
工作温度-55 to 175 °C
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
门源电压±20
欧盟RoHS指令Compliant
高工作温度175
标准包装名称TO-220
低工作温度-55
渠道类型N
漏源电阻12@10V
漏源电压60
每个芯片的元件数1
供应商封装形式TO-220AB
功率耗散200000
连续漏极电流84
引脚数3
铅形状Through Hole
FET特点Standard
封装Tube
安装类型Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C84A (Tc)
的Vgs(th ) ( )@ Id4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss)60V
供应商设备封装TO-220AB
开态Rds( )@ Id ,V GS12 mOhm @ 50A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 200W
封装/外壳TO-220-3
输入电容(Ciss ) @ VDS3210pF @ 25V
其他名称*IRF1010EPBF
闸电荷(Qg ) @ VGS130nC @ 10V
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
类别Power MOSFET
配置Single
外形尺寸10.54 x 4.69 x 8.77mm
身高8.77mm
长度10.54mm
漏源电阻0.012 Ω
高工作温度+175 °C
功率耗散200 W
低工作温度-55 °C
包装类型TO-220AB
典型栅极电荷@ VGS130 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS3210 pF V @ 25
宽度4.69mm
工厂包装数量50
晶体管极性N-Channel
源极击穿电压20 V
连续漏极电流81 A
安装风格Through Hole
功率耗散170 W
漏源击穿电压60 V
RoHSRoHS Compliant
栅极电荷Qg86.6 nC
Continuous Drain Current Id:81A
Drain Source Voltage Vds:60V
On Resistance Rds(on):12mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Threshold Voltage Vgs:4V
功耗:170W
Operating Temperature Min:-55°C
Operating Temperature Max:175°C
Transistor Case Style:TO-220AB
No. of Pins:3
MSL:-
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max:84A
Current Temperature:25°C
Full Power Rating Temperature:25°C
Junction to Case Thermal Resistance A:0.9°C/W
引线间距:2.54mm
No. of Transistors:1
On State resistance @ Vgs = 10V:12mohm
工作温度范围:-55°C to +175°C
Pin Format:1 g
Pulse Current Idm:330A
端接类型:Through Hole
Voltage Vds Typ:60V
Voltage Vgs Max:4V
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

电子元器件专业配套 配套范围内:

集成电路 IC芯片 二三极管 光耦 继电器 电源模块 IGBT 可控硅 

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源自:深圳市铭顺信电子有限公司


官网:www.msxic.cn


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QQ:2355513224


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IRF1010E【铁头】F1010E 场效应管 84A 60V N沟道 出售原装现货示例图4
 

品牌 原装
型号 IRF1010E
种类 结型(JFET)
沟道类型 N沟道
导电方式 增强型
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