【SISA04DN-T1-GE3 丝印SA04 出售原装 SISA04DN QFN 深圳现货供应】价格_批发_厂家_参数_图片_集成电路(IC)

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SISA04DN-T1-GE3 丝印SA04 出售原装 SISA04DN QFN 深圳现货供应

¥6.99

10-999PCS

¥6.80

≥1000PCS

产品规格

封装: QFN

深圳市铭顺信电子有限公司

采通通 7 年资质认证实名企业

18年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

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图文详情

产品属性

标准包装	3,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	40A
Rds（）@ ID，VGS	2.15 mOhm @ 15A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	2.2V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	77nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	3595pF @ 15V
功率 -	52W
安装类型	Surface Mount
包/盒	PowerPAK® 1212-8
供应商器件封装	PowerPAK® 1212-8
包装材料	Tape & Reel (TR)
单位包	3000
小起订量	3000
FET特点	Logic Level Gate
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	30.9A (Ta), 40A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	2.2V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	30V
供应商设备封装	PowerPAK® 1212-8
开态Rds（）@ Id ，V GS	2.15 mOhm @ 15A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	52W
标准包装	3,000
输入电容（Ciss ） @ VDS	3595pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS	77nC @ 10V
封装/外壳	PowerPAK® 1212-8
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	SISA04DN-T1-GE3CT
类别	Power MOSFET
通道模式	Enhancement
渠道类型	N
配置	Quad Drain, Triple Source
外形尺寸	3.15 x 3.15 x 1.12mm
身高	1.12mm
长度	3.15mm
连续漏极电流	40 A
漏源电阻	0.0031 Ω
漏源电压	30 V
门源电压	-16 → +20 V
高工作温度	+150 °C
功率耗散	52 W
低工作温度	-55 °C
每个芯片的元件数	1
包装类型	PowerPAK 1212-8
引脚数	8
典型栅极电荷@ VGS	51 nC @ 10 V
典型输入电容@ VDS	3595 pF @ 15 V
典型关闭延迟时间	30 ns
典型导通延迟时间	12 ns
宽度	3.15mm
安装风格	SMD/SMT
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+ 20 V, - 16 V
连续漏极电流	40 A
RDS（ON）	2.15 mOhms
功率耗散	52 W
封装/外壳	PowerPAK 1212-8
零件号别名	SISA04DN-GE3
漏源击穿电压	30 V
RoHS	RoHS Compliant By Exemption
栅极电荷Qg	22.5 nC
Continuous Drain Current Id	:40A
Drain Source Voltage Vds	:30V
On Resistance Rds(on)	:0.0018ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:10V
Threshold Voltage Vgs	:1.1V
功耗	:52W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:150°C
Transistor Case Style	:PowerPAK 1212
No. of Pins	:8
MSL	:MSL 1 - Unlimited
工作温度范围	:-55°C to +150°C
Voltage Vgs Max	:30V