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产品规格
封装: TO-252
| 标准包装 | 75 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 12A |
| Rds（ ）@ ID，VGS | 100 mOhm @ 6A, 10V |
| VGS（TH）（ ）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 10nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 350pF @ 25V |
| 功率 - | 30W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3IPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源电压 | 60 V |
| 连续漏极电流 | 12 A |
| RDS -于 | 100@10V mOhm |
| 门源电压 | ±16 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 35 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 典型下降时间 | 13 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 门源电压 | ±16 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | IPAK |
| 低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| 漏源电阻 | 100@10V |
| 漏源电压 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | IPAK |
| 功率耗散 | 30000 |
| 连续漏极电流 | 12 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （ ）@ Id | 2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 开态Rds（ ）@ Id ，V GS | 100 mOhm @ 6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 30W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 350pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 10nC @ 5V |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 16 V |
| 连续漏极电流 | 12 A |
| 正向跨导 - 闵 | 7 S |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 100 mOhms |
| 功率耗散 | 30 W |
| 低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | IPAK |
| 上升时间 | 35 ns |
| 高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 13 ns |
| 栅源电压（ 值） | �16 V |
| 漏源导通电阻 | 0.1 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | IPAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
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