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SPA04N80C3 原装正品 深圳现货供应 晶体三极管

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50-199PCS

¥3.20

≥200PCS

产品规格

封装形式: TO-220F

深圳市铭顺信电子有限公司

18年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

图文详情
产品属性
标准包装500
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)800V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C4A
Rds( )@ ID,VGS1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
VGS(TH)( )@ Id3.9V @ 240µA
栅极电荷(Qg)@ VGS31nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的570pF @ 100V
功率 - 38W
安装类型Through Hole
包/盒TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装PG-TO220-FP
包装材料Tube
包装3TO-220FP
通道模式Enhancement
漏源电压800 V
连续漏极电流4 A
RDS -于1300@10V mOhm
门源电压±20 V
典型导通延迟时间25 ns
典型上升时间15 ns
典型关闭延迟时间65 ns
典型下降时间12 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
P( TOT )38W
匹配代码SPA04N80C3
R( THJC )2K/W
LogicLevelNO
单位包50
标准的提前期10 weeks
小起订量50
Q(克)26nC
无铅DefinRoHS-conform
汽车NO
我(D )4A
V( DS )800V
技术CoolMOS C3
的RDS(on ) at10V1.3Ohm
FET特点Standard
封装Tube
安装类型Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C4A (Tc)
的Vgs(th ) ( )@ Id3.9V @ 240µA
漏极至源极电压(Vdss)800V
供应商设备封装PG-TO220-FP
开态Rds( )@ Id ,V GS1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 38W
封装/外壳TO-220-3 Full Pack
输入电容(Ciss ) @ VDS570pF @ 100V
闸电荷(Qg ) @ VGS31nC @ 10V
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量500
晶体管极性N-Channel
连续漏极电流4 A
零件号别名SP000216300 SPA04N80C3XKSA1
下降时间12 ns
安装风格Through Hole
产品种类MOSFET
商品名CoolMOS
配置Single
高工作温度+ 150 C
RoHSRoHS Compliant
源极击穿电压+/- 20 V
系列SPA04N80
RDS(ON)1.3 Ohms
功率耗散38 W
低工作温度- 55 C
上升时间15 ns
漏源击穿电压800 V
Continuous Drain Current Id:4A
Drain Source Voltage Vds:800V
On Resistance Rds(on):1.3ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Threshold Voltage Vgs:3V
功耗:38W
Operating Temperature Min:-55°C
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:TO-220F
No. of Pins:3
MSL:-
Current Id Max:4A
工作温度范围:-55°C to +150°C
Pulse Current Idm:12A
端接类型:Through Hole
Voltage Vds:800V
Voltage Vds Typ:800V
Voltage Vgs Max:20V
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

SPA04N80C3 原装@ 深圳现货.供应晶体三极管示例图4
 

品牌 原装
型号 SPA04N80C3
应用范围 功率
材料 硅(Si)
封装形式 TO-220F
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SPA04N80C3 原装正品 深圳现货供应 晶体三极管

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