【SPA04N80C3 原装正品深圳现货供应晶体三极管】价格_批发_厂家_参数_图片_三极管

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SPA04N80C3 原装正品深圳现货供应晶体三极管

¥3.80

5-49PCS

¥3.50

50-199PCS

¥3.20

≥200PCS

产品规格

封装形式: TO-220F

深圳市铭顺信电子有限公司

采通通 8 年资质认证实名企业

19年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

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图文详情

产品属性

标准包装	500
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	800V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	4A
Rds（最大）@ ID，VGS	1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	3.9V @ 240µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	31nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	570pF @ 100V
功率 - 最大	38W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装	PG-TO220-FP
包装材料	Tube
包装	3TO-220FP
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	800 V
最大连续漏极电流	4 A
RDS -于	1300@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	25 ns
典型上升时间	15 ns
典型关闭延迟时间	65 ns
典型下降时间	12 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
P（ TOT ）	38W
匹配代码	SPA04N80C3
R（ THJC ）	2K/W
LogicLevel	NO
单位包	50
标准的提前期	10 weeks
最小起订量	50
Q（克）	26nC
无铅Defin	RoHS-conform
汽车	NO
我（D ）	4A
V（ DS ）	800V
技术	CoolMOS C3
的RDS（on ） at10V	1.3Ohm
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	4A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	3.9V @ 240µA
漏极至源极电压（Vdss）	800V
供应商设备封装	PG-TO220-FP
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	38W
封装/外壳	TO-220-3 Full Pack
输入电容（Ciss ） @ VDS	570pF @ 100V
闸电荷（Qg ） @ VGS	31nC @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	500
晶体管极性	N-Channel
连续漏极电流	4 A
零件号别名	SP000216300 SPA04N80C3XKSA1
下降时间	12 ns
安装风格	Through Hole
产品种类	MOSFET
商品名	CoolMOS
配置	Single
最高工作温度	+ 150 C
RoHS	RoHS Compliant
源极击穿电压	+/- 20 V
系列	SPA04N80
RDS（ON）	1.3 Ohms
功率耗散	38 W
最低工作温度	- 55 C
上升时间	15 ns
漏源击穿电压	800 V
Continuous Drain Current Id	:4A
Drain Source Voltage Vds	:800V
On Resistance Rds(on)	:1.3ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:10V
Threshold Voltage Vgs	:3V
功耗	:38W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:150°C
Transistor Case Style	:TO-220F
No. of Pins	:3
MSL	:-
Current Id Max	:4A
工作温度范围	:-55°C to +150°C
Pulse Current Idm	:12A
端接类型	:Through Hole
Voltage Vds	:800V
Voltage Vds Typ	:800V
Voltage Vgs Max	:20V
Voltage Vgs Rds on Measurement	:10V