【SPW47N60C3 功率晶体管TO-247 出售原装实物拍摄深圳现货供应】价格_批发_厂家_参数_图片_可控硅(晶闸管)

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SPW47N60C3 功率晶体管TO-247 出售原装实物拍摄深圳现货供应

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¥19.50

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产品规格

可售数量： 5000个

深圳市铭顺信电子有限公司

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17年

经营年限

广东深圳

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10.0

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图文详情

产品属性

标准包装	240
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	650V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	47A
Rds（）@ ID，VGS	70 mOhm @ 30A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	3.9V @ 2.7mA
栅极电荷（Qg）@ VGS	320nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	6800pF @ 25V
功率 -	415W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-247-3
供应商器件封装	PG-TO247-3
包装材料	Tube
包装	3TO-247
通道模式	Enhancement
漏源电压	650 V
连续漏极电流	47 A
RDS -于	70@10V mOhm
门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	18 ns
典型上升时间	27 ns
典型关闭延迟时间	111 ns
典型下降时间	8 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	47A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	3.9V @ 2.7mA
漏极至源极电压（Vdss）	650V
供应商设备封装	PG-TO247-3
开态Rds（）@ Id ，V GS	70 mOhm @ 30A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	415W
输入电容（Ciss ） @ VDS	6800pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	320nC @ 10V
封装/外壳	TO-247-3
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Power MOSFET
渠道类型	N
配置	Single
外形尺寸	15.9 x 5.3 x 20.95mm
身高	20.95mm
长度	15.9mm
漏源电阻	0.07 Ω
高工作温度	+150 °C
功率耗散	415 W
低工作温度	-55 °C
每个芯片的元件数	1
包装类型	TO-247
引脚数	3
典型栅极电荷@ VGS	252 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS	6800 pF V @ 25
宽度	5.3mm
工厂包装数量	240
晶体管极性	N-Channel
连续漏极电流	47 A
封装/外壳	TO-247
零件号别名	SP000013953 SPW47N60C3FKSA1
下降时间	8 ns
安装风格	Through Hole
产品种类	MOSFET
商品名	CoolMOS
RoHS	RoHS Compliant
源极击穿电压	+/- 20 V
系列	SPW47N60
RDS（ON）	70 mOhms
功率耗散	415 W
上升时间	27 ns
漏源击穿电压	650 V
Continuous Drain Current Id	:47A
Drain Source Voltage Vds	:650V
On Resistance Rds(on)	:70mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:10V
Threshold Voltage Vgs	:3V
功耗	:415W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:150°C
Transistor Case Style	:TO-247
No. of Pins	:3
MSL	:-
Current Temperature	:25°C
Full Power Rating Temperature	:25°C
Junction Temperature Tj Max	:150°C
Junction Temperature Tj Min	:-55°C
No. of Transistors	:1
工作温度范围	:-55°C to +150°C
Pulse Current Idm	:141A
端接类型	:Through Hole
Voltage Vgs Max	:3V
Voltage Vgs Rds on Measurement	:10V
Voltage Vgs th Max	:3.9V
Weight (kg)	0.006
Tariff No.	85412900
案例	TO247
Transistor type	N-MOSFET
功率	415W
Drain-source voltage	650V
极化	unipolar
Drain current	47A
Multiplicity	1
Gross weight	8.26 g
On-state resistance	70mΩ
Collective package [pcs]	240