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SPB11N60C3 11n60c3 TO-263 11A 650V场效应 出售原装 深圳现货供应

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深圳市铭顺信电子有限公司

18年

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广东深圳

所在地区

10.0

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产品属性
标准包装1,000
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)650V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C11A
Rds( )@ ID,VGS380 mOhm @ 7A, 10V
VGS(TH)( )@ Id3.9V @ 500µA
栅极电荷(Qg)@ VGS60nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的1200pF @ 25V
功率 - 125W
安装类型Surface Mount
包/盒TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装PG-TO263-3
包装材料Tape & Reel (TR)
包装3TO-263
通道模式Enhancement
漏源电压600 V
连续漏极电流11 A
RDS -于380@10V mOhm
门源电压±20 V
典型导通延迟时间10 ns
典型上升时间5 ns
典型关闭延迟时间44 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Surface Mount
标准包装Tape & Reel
P( TOT )125W
匹配代码SPB11N60C3
R( THJC )1K/W
LogicLevelNO
单位包1000
标准的提前期14 weeks
小起订量1000
Q(克)60nC
LLRDS (上)n.s.Ohm
汽车NO
LLRDS (上)在n.s.V
我(D )11A
V( DS )600V
技术CoolMOS C3
的RDS(on ) at10V0.38Ohm
无铅DefinRoHS-conform
FET特点Standard
封装Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C11A (Tc)
的Vgs(th ) ( )@ Id3.9V @ 500µA
漏极至源极电压(Vdss)650V
供应商设备封装PG-TO263-3
开态Rds( )@ Id ,V GS380 mOhm @ 7A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 125W
输入电容(Ciss ) @ VDS1200pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS60nC @ 10V
封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
其他名称SPB11N60C3INDKR
类别Power MOSFET
渠道类型N
外形尺寸10.31 x 9.45 x 4.57mm
身高4.57mm
长度10.31mm
漏源电阻0.38 Ω
高工作温度+150 °C
功率耗散125 W
低工作温度-55 °C
每个芯片的元件数1
包装类型PG-TO-263
引脚数3
典型栅极电荷@ VGS45 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS1200 pF V @ 25
宽度9.45mm
工厂包装数量1000
晶体管极性N-Channel
连续漏极电流11 A
封装/外壳TO-263
零件号别名SP000013519 SPB11N60C3ATMA1
下降时间5 ns
安装风格SMD/SMT
产品种类MOSFET
商品名CoolMOS
配置Single
RoHSRoHS Compliant
源极击穿电压+/- 20 V
系列SPB11N60
RDS(ON)380 mOhms
功率耗散125 W
上升时间5 ns
漏源击穿电压600 V
Continuous Drain Current Id:11A
Drain Source Voltage Vds:650V
On Resistance Rds(on):0.34ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Threshold Voltage Vgs:3V
功耗:125W
Operating Temperature Min:-55°C
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:TO-263
No. of Pins:3
MSL:MSL 1 - Unlimited
工作温度范围:-55°C to +150°C

SPB11N60C3 11n60c3 TO-263 11A 650V场效应【出售原装】深圳现货示例图2SPB11N60C3 11n60c3 TO-263 11A 650V场效应【出售原装】深圳现货示例图3




SPB11N60C3 11n60c3 TO-263 11A 650V场效应【出售原装】深圳现货示例图4
 

品牌 原装
型号 SPB11N60C3
种类 绝缘栅(MOSFET)
沟道类型 TO-263
导电方式 增强型
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