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STP20NK50Z 出售原装 TO-220 三极管 深圳现货供应

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¥5.50

≥50PCS

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可售数量: 5740PCS

深圳市铭顺信电子有限公司

17年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

图文详情
产品属性
标准包装50
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)500V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C17A
Rds( )@ ID,VGS270 mOhm @ 8.5A, 10V
VGS(TH)( )@ Id4.5V @ 100µA
栅极电荷(Qg)@ VGS119nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的2600pF @ 25V
功率 - 190W
安装类型Through Hole
包/盒TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
包装材料Tube
包装3TO-220
通道模式Enhancement
漏源电压500 V
连续漏极电流17 A
RDS -于270@10V mOhm
门源电压±30 V
典型导通延迟时间28 ns
典型上升时间20 ns
典型关闭延迟时间70 ns
典型下降时间15 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
FET特点Standard
封装Tube
安装类型Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C17A (Tc)
的Vgs(th ) ( )@ Id4.5V @ 100µA
漏极至源极电压(Vdss)500V
供应商设备封装TO-220AB
开态Rds( )@ Id ,V GS270 mOhm @ 8.5A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 190W
输入电容(Ciss ) @ VDS2600pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS119nC @ 10V
封装/外壳TO-220-3
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量50
晶体管极性N-Channel
连续漏极电流17 A
封装/外壳TO-220
下降时间15 ns
产品种类MOSFET
单位重量0.050717 oz
配置Single
高工作温度+ 150 C
正向跨导 - 闵13 S
RoHSRoHS Compliant
源极击穿电压+/- 30 V
RDS(ON)270 mOhms
安装风格Through Hole
功率耗散190 W
低工作温度- 55 C
上升时间20 ns
漏源击穿电压500 V
栅极电荷Qg85 nC
漏极电流( 值)17 A
频率( )Not Required MHz
栅源电压( 值)�30 V
输出功率( )Not Required W
噪声系数Not Required dB
漏源导通电阻0.27 ohm
工作温度范围-55C to 150C
包装类型TO-220
引脚数3 +Tab
极性N
类型Power MOSFET
元件数1
工作温度分类Military
漏极效率Not Required %
漏源导通电压500 V
功率增益Not Required dB
弧度硬化No
Continuous Drain Current Id:17A
Drain Source Voltage Vds:500V
On Resistance Rds(on):270mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
Threshold Voltage Vgs:3.75V
功耗:190W
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:TO-220
No. of Pins:3
MSL:-
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Alternate Case Style:SOT-78B
Current Id Max:17A
On State resistance @ Vgs = 10V:270mohm
Pulse Current Idm:68A
Voltage Vds:500V
Voltage Vds Typ:500V
Voltage Vgs Max:3.75V
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V





STP20NK50Z【出售原装】TO-220三极管深圳现货供应示例图4
 

品牌 原装
型号 STP20NK50Z
种类 绝缘栅(MOSFET)
沟道类型 N沟道
导电方式 增强型
封装形式 TO-220
应用范围 功率
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STP20NK50Z 出售原装 TO-220 三极管 深圳现货供应

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