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产品规格
可售数量： 10000个
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 400V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5.5A |
| Rds（ ）@ ID，VGS | 1 Ohm @ 3.3A, 10V |
| VGS（TH）（ ）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 38nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 700pF @ 25V |
| 功率 - | 3.1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tube |
| 门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 漏源电阻 | 1000@10V |
| 漏源电压 | 400 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-263AB |
| 功率耗散 | 3100 |
| 连续漏极电流 | 5.5 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 0 |
| 小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （ ）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 其他名称 | *IRF730S |
| 开态Rds（ ）@ Id ，V GS | 1 Ohm @ 3.3A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 3.1W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 400V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 700pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 38nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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