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¥3.00
50-99PCS
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100-499PCS
¥2.50
≥500PCS
产品规格
封装形式: TO-220
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 6.7A |
Rds( )@ ID,VGS | 500 mOhm @ 4A, 10V |
VGS(TH)( )@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 12nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 270pF @ 25V |
功率 - | 43W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB |
渠道类型 | P |
通道模式 | Enhancement |
漏源电压 | 60 V |
连续漏极电流 | 6.7 A |
RDS -于 | 500@10V mOhm |
门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 11 ns |
典型上升时间 | 63 ns |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
典型下降时间 | 31 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
标准包装 | Bulk |
门源电压 | ±20 |
包装宽度 | 4.7(Max) |
PCB | 3 |
功率耗散 | 43000 |
漏源电压 | 60 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
漏源电阻 | 500@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
标准包装名称 | TO-220 |
高工作温度 | 175 |
包装长度 | 10.41(Max) |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 9.01(Max) |
连续漏极电流 | 6.7 |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
单位包 | 50 |
小起订量 | 1000 |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 6.7A (Tc) |
的Vgs(th ) ( )@ Id | 4V @ 250µA |
供应商设备封装 | TO-220AB |
其他名称 | *IRF9Z10PBF |
开态Rds( )@ Id ,V GS | 500 mOhm @ 4A, 10V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - | 43W |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 270pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 12nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-220-3 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
漏极电流( 值) | 6.7 A |
频率( ) | Not Required MHz |
栅源电压( 值) | �20 V |
输出功率( ) | Not Required W |
功率耗散 | 43 W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.5 ohm |
工作温度范围 | -55C to 175C |
包装类型 | TO-220AB |
极性 | P |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 60 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
连续漏极电流 | 6.7 A |
删除 | Compliant |
associated | TP0006 |
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18988776985
-
0755-82579959
直插件 原装正品 晶体三极管 现货供应 IRF9Z10PBF
¥ 2.50 ~ ¥ 3.00
¥ 2.50
800PCS可售
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