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直插件 原装正品 晶体三极管 现货供应 IRF9Z10PBF

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¥3.00

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¥2.80

100-499PCS

¥2.50

≥500PCS

产品规格

封装形式: TO-220

深圳市铭顺信电子有限公司

17年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

图文详情
产品属性
标准包装1,000
FET 型MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C6.7A
Rds( )@ ID,VGS500 mOhm @ 4A, 10V
VGS(TH)( )@ Id4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS12nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的270pF @ 25V
功率 - 43W
安装类型Through Hole
包/盒TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
包装材料Tube
包装3TO-220AB
渠道类型P
通道模式Enhancement
漏源电压60 V
连续漏极电流6.7 A
RDS -于500@10V mOhm
门源电压±20 V
典型导通延迟时间11 ns
典型上升时间63 ns
典型关闭延迟时间10 ns
典型下降时间31 ns
工作温度-55 to 175 °C
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
标准包装Bulk
门源电压±20
包装宽度4.7(Max)
PCB3
功率耗散43000
漏源电压60
欧盟RoHS指令Compliant
漏源电阻500@10V
每个芯片的元件数1
低工作温度-55
供应商封装形式TO-220AB
标准包装名称TO-220
高工作温度175
包装长度10.41(Max)
引脚数3
包装高度9.01(Max)
连续漏极电流6.7
标签Tab
铅形状Through Hole
单位包50
小起订量1000
FET特点Standard
封装Tube
安装类型Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C6.7A (Tc)
的Vgs(th ) ( )@ Id4V @ 250µA
供应商设备封装TO-220AB
其他名称*IRF9Z10PBF
开态Rds( )@ Id ,V GS500 mOhm @ 4A, 10V
FET型MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 43W
漏极至源极电压(Vdss)60V
输入电容(Ciss ) @ VDS270pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS12nC @ 10V
封装/外壳TO-220-3
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
漏极电流( 值)6.7 A
频率( )Not Required MHz
栅源电压( 值)�20 V
输出功率( )Not Required W
功率耗散43 W
噪声系数Not Required dB
漏源导通电阻0.5 ohm
工作温度范围-55C to 175C
包装类型TO-220AB
极性P
类型Power MOSFET
元件数1
工作温度分类Military
漏极效率Not Required %
漏源导通电压60 V
功率增益Not Required dB
弧度硬化No
连续漏极电流6.7 A
删除Compliant
associatedTP0006


直插件@原装晶体三极管 @~现货IRF9Z10PBF示例图4
 

品牌 IR
型号 IRF9Z10PBF
应用范围 功率
材料 硅(Si)
封装形式 TO-220
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直插件 原装正品 晶体三极管 现货供应 IRF9Z10PBF

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封装形式
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