【IRL3803VPBF TO-220AB 场效应管出售原装深圳现货供应】价格_批发_厂家_参数_图片_场效应管

1/1

IRL3803VPBF TO-220AB 场效应管出售原装深圳现货供应

¥4.99

5-999个

¥4.80

≥1000个

产品规格

可售数量： 5000个

深圳市铭顺信电子有限公司

采通通 8 年资质认证实名企业

19年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

全部产品进入店铺

图文详情

产品属性

标准包装	50
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	140A
Rds（最大）@ ID，VGS	5.5 mOhm @ 71A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	1V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	76nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	3720pF @ 25V
功率 - 最大	200W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB
包装材料	Tube
包装	3TO-220AB
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	30 V
最大连续漏极电流	140 A
RDS -于	5.5@10V mOhm
最大门源电压	±16 V
典型导通延迟时间	16 ns
典型上升时间	180 ns
典型关闭延迟时间	29 ns
典型下降时间	37 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
FET特点	Logic Level Gate
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	140A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	1V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	30V
供应商设备封装	TO-220AB
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	5.5 mOhm @ 71A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	200W
输入电容（Ciss ） @ VDS	3720pF @ 25V
其他名称	*IRL3803VPBF
闸电荷（Qg ） @ VGS	76nC @ 4.5V
封装/外壳	TO-220-3
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	16 V
连续漏极电流	140 A
安装风格	Through Hole
RDS（ON）	7.5 mOhms
功率耗散	200 W
封装/外壳	TO-220-3
漏源击穿电压	30 V
RoHS	RoHS Compliant
栅极电荷Qg	50.7 nC
漏极电流（最大值）	140 A
频率（最大）	Not Required MHz
栅源电压（最大值）	�16 V
输出功率（最大）	Not Required W
噪声系数	Not Required dB
漏源导通电阻	0.0055 ohm
工作温度范围	-55C to 175C
包装类型	TO-220AB
引脚数	3 +Tab
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏极效率	Not Required %
漏源导通电压	30 V
功率增益	Not Required dB
弧度硬化	No
删除	Compliant
Continuous Drain Current Id	:140A
Drain Source Voltage Vds	:30V
On Resistance Rds(on)	:5.5mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs	:10V
Threshold Voltage Vgs	:1V
功耗	:200W
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:175°C
Transistor Case Style	:TO-220AB
No. of Pins	:3
MSL	:-
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max	:140A
工作温度范围	:-55°C to +175°C
Pulse Current Idm	:470A
SMD Marking	:IRL3803VPBF
端接类型	:Through Hole
Voltage Vds Typ	:30V
Voltage Vgs Max	:1V
Voltage Vgs Rds on Measurement	:10V