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深圳市铭顺信电子有限公司

17年

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广东深圳

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产品属性
RohsLead free / RoHS Compliant
标准包装50
IGBT 型-
电压 - 集电极发射极击穿( )600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 12A
- 集电极电流(Ic)( )23A
功率 - 100W
Input 型Standard
安装类型Through Hole
包/盒TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
包装材料Tube
包装3TO-220AB
配置Single
集电极发射极电压600 V
连续集电极电流23 A
栅极发射极电压±20 V
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
供应商封装形式TO-220AB
栅极发射极电压±20
连续集电极电流23
欧盟RoHS指令Compliant
高工作温度150
标准包装名称TO-220
渠道类型N
集电极发射极电压600
功率耗散100000
低工作温度-55
引脚数3
铅形状Through Hole
栅极电荷50nC
电流 - 集电极( Ic)( )23A
安装类型Through Hole
开关能量540µJ
时间Td(开/关) @ 25°C40ns/91ns
Vce(开) ( 值) Vge,Ic时2.1V @ 15V, 12A
电压 - 集电极发射极击穿( )600V
供应商设备封装TO-220AB
反向恢复时间(trr )42ns
封装Tube
功率 - 100W
输入类型Standard
封装/外壳TO-220-3
测试条件480V, 12A, 23 Ohm, 15V
其他名称*IRG4BC30UDPBF
电流 - 集电极脉冲( ICM )92A
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸10.54 x 4.69 x 8.77mm
身高8.77mm
长度10.54mm
高工作温度+150 °C
低工作温度-55 °C
包装类型TO-220AB
宽度4.69mm
工厂包装数量50
集电极 - 发射极饱和电压2.1 V
连续集电极电流在25 C23 A
集电极 - 发射极 电压VCEO600 V
安装风格Through Hole
功率耗散100 W
RoHSRoHS Compliant
集电极电流( DC)( 值)23 A
集电极 - 发射极电压600 V
工作温度( )150C
工作温度( 小值)-55C
工作温度分类Military
Gate to Emitter Voltage (Max)�20 V
弧度硬化No
集电极电流(DC )23 A
晶体管类型:IGBT
DC Collector Current:23A
Collector Emitter Voltage Vces:2.5V
功耗:100W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
Operating Temperature Min:-55°C
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:TO-220
No. of Pins:3
MSL:-
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Current Ic Continuous a Max:23A
Current Temperature:25°C
Device Marking:IRG4BC30UDPbF
Fall Time Max:80ns
Full Power Rating Temperature:25°C
No. of Transistors:1
工作温度范围:-55°C to +150°C
Power Dissipation Max:100W
Pulsed Current Icm:92A
上升时间:21ns
端接类型:Through Hole
晶体管极性:N Channel
Voltage Vces:600V
Weight (kg)0.002


品牌 IR
型号 IRG4BC30UDPBF
种类 结型(JFET)
导电方式 耗尽型
用途 A/宽频带放大
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插
材料 GaAS-FET
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