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STP12NM50 N沟道550V场效应管出售原装实物拍摄深圳现货供应

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¥3.80

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产品规格

可售数量： 5000个

深圳市铭顺信电子有限公司

采通通 6 年资质认证实名企业

17年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

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图文详情

产品属性

标准包装	50
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	500V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	12A
Rds（）@ ID，VGS	350 mOhm @ 6A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	5V @ 50µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	39nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1000pF @ 25V
功率 -	160W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB
包装材料	Tube
包装	3TO-220
通道模式	Enhancement
漏源电压	500 V
连续漏极电流	12 A
RDS -于	350@10V mOhm
门源电压	±30 V
典型导通延迟时间	20 ns
典型上升时间	10 ns
工作温度	-65 to 150 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
门源电压	±30
包装宽度	4.6(Max)
PCB	3
功率耗散	160000
漏源电压	500
欧盟RoHS指令	Compliant
漏源电阻	350@10V
每个芯片的元件数	1
低工作温度	-65
供应商封装形式	TO-220
标准包装名称	TO-220
高工作温度	150
渠道类型	N
包装长度	10.4(Max)
引脚数	3
包装高度	9.15(Max)
连续漏极电流	12
封装	Tube
标签	Tab
铅形状	Through Hole
P（ TOT ）	160W
匹配代码	STP12NM50
R（ THJC ）	0.78K/W
LogicLevel	NO
单位包	50
标准的提前期	10 weeks
小起订量	50
Q（克）	39nC
无铅Defin	RoHS-conform
汽车	NO
我（D ）	12A
V（ DS ）	500V
技术	MDmesh
的RDS（on ） at10V	0.35Ohm
FET特点	Standard
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	12A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	5V @ 50µA
漏极至源极电压（Vdss）	500V
供应商设备封装	TO-220AB
开态Rds（）@ Id ，V GS	350 mOhm @ 6A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	160W
封装/外壳	TO-220-3
输入电容（Ciss ） @ VDS	1000pF @ 25V
其他名称	497-2666-5
闸电荷（Qg ） @ VGS	39nC @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Power MOSFET
配置	Single
外形尺寸	10.4 x 4.6 x 9.15mm
身高	9.15mm
长度	10.4mm
漏源电阻	0.35 Ω
高工作温度	+150 °C
功率耗散	160 W
低工作温度	-65 °C
包装类型	TO-220
典型栅极电荷@ VGS	28 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS	1000 pF V @ 25
宽度	4.6mm
工厂包装数量	50
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+/- 30 V
连续漏极电流	12 A
正向跨导 - 闵	5.5 S
单位重量	0.079014 oz
RDS（ON）	350 mOhms
功率耗散	160 W
安装风格	Through Hole
上升时间	10 ns
漏源击穿电压	500 V
RoHS	RoHS Compliant
漏极电流（值）	12 A
频率（）	Not Required MHz
栅源电压（值）	�30 V
输出功率（）	Not Required W
噪声系数	Not Required dB
漏源导通电阻	0.35 ohm
工作温度范围	-65C to 150C
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏极效率	Not Required %
漏源导通电压	500 V
功率增益	Not Required dB
弧度硬化	No