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STF31N65M5 出售原装 TO-220F 场效应管 深圳现货供应

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深圳市铭顺信电子有限公司

19年

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广东深圳

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产品属性
标准包装50
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)650V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C22A
Rds(最大)@ ID,VGS148 mOhm @ 11A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS45nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的816pF @ 100V
功率 - 最大30W
安装类型Through Hole
包/盒TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装TO-220FP
包装材料Tube
动态目录N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16424?mpart=STF31N65M5&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
单位包50
最小起订量1000
FET特点Standard
封装Tube
安装类型Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C22A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss)650V
供应商设备封装TO-220FP
开态Rds(最大)@ Id ,V GS148 mOhm @ 11A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大30W
标准包装50
输入电容(Ciss ) @ VDS816pF @ 100V
其他名称497-13101-5
闸电荷(Qg ) @ VGS45nC @ 10V
封装/外壳TO-220-3 Full Pack
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
安装风格Through Hole
产品种类MOSFET
晶体管极性N-Channel
连续漏极电流13.9 A
RDS(ON)148 mOhms
功率耗散30 W
封装/外壳TO-220FP
漏源击穿电压650 V
RoHSRoHS Compliant
栅源电压(最大值)?25 V
安装Through Hole
工作温度范围-55C to 150C
包装类型TO-220FP
引脚数3 +Tab
极性N
类型Power MOSFET
元件数1
工作温度分类Military
通道模式Enhancement
漏源导通电压650 V
弧度硬化No



STF31N65M5【出售@原装】TO-220F场效应管深圳现货.供应示例图4
 

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