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IGBT管/STGP7NC60HD 管装出售原装 深圳现货供应

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5-29PCS

¥4.00

≥30PCS

产品规格

可售数量: 5000PCS

深圳市铭顺信电子有限公司

17年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

图文详情
产品属性
标准包装50
IGBT 型-
电压 - 集电极发射极击穿( )600V
蒸气云爆炸(上)( 值)”的发展,集成电路2.5V @ 15V, 7A
集电极电流(Ic)( )25A
当前 - Collector Pulsed (Icm)50A
功率 - 80W
Switching 能源210µJ
输入 型Standard
栅极电荷35nC
Td(开/关)@ 25°C18.5ns/72ns
测试条件390V, 7A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)37ns
包装材料Tube
包/盒TO-220-3
安装类型Through Hole
供应商器件封装TO-220AB
动态目录Standard IGBTs###/catalog/en/partgroup/standard-igbts/17460?mpart=STGP7NC60HD&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
包装3TO-220
配置Single
集电极发射极电压600 V
连续集电极电流25 A
栅极发射极电压±20 V
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
供应商封装形式TO-220
栅极发射极电压±20
连续集电极电流25
欧盟RoHS指令Compliant
高工作温度150
包装宽度4.6(Max)
标准包装名称TO-220
包装高度9.15(Max)
功率耗散80000
渠道类型N
封装Tube
集电极发射极电压600
标签Tab
PCB3
包装长度10.4(Max)
低工作温度-55
引脚数3
铅形状Through Hole
P( TOT )80W
匹配代码STGP7NC60HD
I(C )25A
TD (上)18.5nS
单位包50
标准的提前期10 weeks
小起订量50
T( R)8.5nS
无铅DefinRoHS-conform
TD (关闭)72nS
技术PowerMESH
汽车NO
V( CE )600V
V( CESAT )2.5V
BodydiodeYES
栅极电荷35nC
电流 - 集电极( Ic)( )25A
安装类型Through Hole
开关能量210µJ
时间Td(开/关) @ 25°C18.5ns/72ns
Vce(开) ( 值) Vge,Ic时2.5V @ 15V, 7A
电压 - 集电极发射极击穿( )600V
供应商设备封装TO-220AB
反向恢复时间(trr )37ns
功率 - 80W
输入类型Standard
封装/外壳TO-220-3
测试条件390V, 7A, 10 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM )50A
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
外形尺寸10.4 x 4.6 x 9.15mm
身高9.15mm
长度10.4mm
高工作温度+150 °C
低工作温度-55 °C
包装类型TO-220
宽度4.6mm
栅 极漏泄电流+/- 100 nA
集电极 - 发射极饱和电压2.5 V
产品种类IGBT Transistors
工厂包装数量1000
连续集电极电流Ic 25 A
集电极 - 发射极 电压VCEO600 V
安装风格Through Hole
功率耗散80 W
RoHSRoHS Compliant
集电极电流( DC)( 值)25 A
集电极 - 发射极电压600 V
工作温度( )150C
工作温度( 小值)-55C
工作温度分类Military
Gate to Emitter Voltage (Max)�20 V
弧度硬化No
集电极电流(DC )25 A
晶体管类型:IGBT
DC Collector Current:25A
Collector Emitter Voltage Vces:2.5V
功耗:80W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V
Operating Temperature Min:-55°C
Operating Temperature Max:150°C
Transistor Case Style:TO-247
No. of Pins:3
MSL:-
SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Current Ic @ Vce Sat:7A
Current Ic Continuous a Max:14A
Current Temperature:25°C
Fall Time tf:60ns
Full Power Rating Temperature:25°C
Junction Temperature Tj Max:150°C
Junction Temperature Tj Min:-55°C
工作温度范围:-55°C to +150°C
Power Dissipation Max:80W
Pulsed Current Icm:50A
上升时间:7ns
端接类型:Through Hole
晶体管极性:N Channel
Voltage Vces:600V


品牌 原装
型号 STGP7NC60HD
种类 绝缘栅(MOSFET)
沟道类型 N沟道
导电方式 增强型
应用范围 功率
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