【D45H11G 硅功率晶体管TO220出售原装深圳现货供应】价格_批发_厂家_参数_图片_三极管

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D45H11G 硅功率晶体管TO220出售原装深圳现货供应

¥3.50

10-99PCS

¥2.60

100-499PCS

¥2.30

≥500PCS

产品规格

封装形式: TO-220

深圳市铭顺信电子有限公司

采通通 6 年资质认证实名企业

17年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

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图文详情

产品属性

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	50
晶体管类型	PNP
- 集电极电流（Ic）（）	10A
电压 - 集电极发射极击穿（）	80V
Vce饱和（）@ IB，IC	1V @ 400mA, 8A
电流 - 集电极截止（）	10µA
直流电流增益（HFE）（小值）@ IC，VCE	40 @ 4A, 1V
功率 -	2W
频率转换	40MHz
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB
包装材料	Tube
包装	3TO-220AB
类型	PNP
引脚数	3
集电极发射极电压	80 V
集电极直流电流	10 A
小直流电流增益	60@2A@1V\|40@4A@1V
工作频率	40(Typ) MHz
集电极发射极饱和电压	1@0.4A@8A V
工作温度	-55 to 150 °C
功率耗散	2000 mW
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
集电极直流电流	10
欧盟RoHS指令	Compliant
高工作温度	150
标准包装名称	TO-220
低工作温度	-55
基地发射极电压	5
Maximum Transition Frequency	40(Typ)
封装	Rail
每个芯片的元件数	1
功率耗散	2000
供应商封装形式	TO-220AB
集电极发射极电压	80
铅形状	Through Hole
电流 - 集电极（ Ic）（）	10A
晶体管类型	PNP
安装类型	Through Hole
频率 - 转换	40MHz
下的Vce饱和度（） Ib，Ic条件	1V @ 400mA, 8A
电流 - 集电极截止（）	10µA
电压 - 集电极发射极击穿（）	80V
供应商设备封装	TO-220AB
功率 -	2W
封装/外壳	TO-220-3
直流电流增益（ hFE）（小值） Ic，Vce时	40 @ 4A, 1V
其他名称	D45H11GOS
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Bipolar Power
配置	Single
外形尺寸	9.28 x 10.28 x 4.82mm
身高	9.28mm
长度	10.28mm
的基射极饱和电压	1.5 V
基地发射极电压	5 V
高工作温度	+150 °C
低工作温度	-55 °C
包装类型	TO-220AB
宽度	4.82mm
工厂包装数量	50
集电极 - 发射极饱和电压	1 V
产品种类	Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性	PNP
发射极 - 基极电压VEBO	5 V
直流集电极/增益hfe 小值	60
增益带宽产品fT	40 MHz
集电极 - 发射极电压VCEO	80 V
安装风格	Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO	80 V
RoHS	RoHS Compliant
连续集电极电流	10 A
集电极电流（ DC）（值）	10 A
集电极 - 发射极电压	80 V
发射极 - 基极电压	5 V
频率（）	40 MHz
功率耗散	2 W
工作温度范围	-55C to 150C
元件数	1
直流电流增益（小值）	60
工作温度分类	Military
弧度硬化	No
频率	40 MHz
集电极电流（DC ）	10 A
直流电流增益	60
Collector Emitter Voltage V(br)ceo	:80V
Transition Frequency ft	:40MHz
功耗	:2W
DC Collector Current	:10A
DC Current Gain hFE	:60
Operating Temperature Min	:-55°C
Operating Temperature Max	:150°C
Transistor Case Style	:TO-220
No. of Pins	:3
MSL	:-
SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
Alternate Case Style	:SOT-78B
Collector Emitter Voltage Vces	:-1V
连续集电极电流Ic	:10A
Current Ic Continuous a Max	:10A
Current Ic hFE	:2A
Full Power Rating Temperature	:25°C
Gain Bandwidth ft Typ	:40MHz
Hfe Min	:60
No. of Transistors	:1
工作温度范围	:-55°C to +150°C
Power Dissipation Ptot Max	:50W