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IRFS52N15DPBF 芯片FS52N15D出售原装D2-pak深圳现货供应

¥5.50

10-99PCS

¥4.99

≥100PCS

产品规格

封装形式: TO-263

深圳市铭顺信电子有限公司

采通通 6 年资质认证实名企业

17年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

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图文详情

产品属性

文档	D2Pak Additional Assembly Site 13/Dec/2013
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	800
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	150V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	60A
Rds（）@ ID，VGS	32 mOhm @ 36A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	89nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	2770pF @ 25V
功率 -	3.8W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装	D2PAK
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	3D2PAK
通道模式	Enhancement
漏源电压	150 V
连续漏极电流	51 A
RDS -于	32@10V mOhm
门源电压	±30 V
典型导通延迟时间	16 ns
典型上升时间	47 ns
典型关闭延迟时间	28 ns
典型下降时间	25 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
门源电压	±30
欧盟RoHS指令	Compliant
高工作温度	175
标准包装名称	D2PAK
低工作温度	-55
渠道类型	N
封装	Tape and Reel
漏源电阻	32@10V
漏源电压	150
每个芯片的元件数	1
供应商封装形式	D2PAK
功率耗散	3800
连续漏极电流	51
引脚数	3
铅形状	Gull-wing
FET特点	Standard
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	60A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	5V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	150V
供应商设备封装	D2PAK
开态Rds（）@ Id ，V GS	32 mOhm @ 36A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	3.8W
封装/外壳	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容（Ciss ） @ VDS	2770pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	89nC @ 10V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	800
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	+/- 30 V
连续漏极电流	51 A
安装风格	SMD/SMT
RDS（ON）	32 mOhms
功率耗散	3.8 W
低工作温度	- 55 C
配置	Single
高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	150 V
RoHS	RoHS Compliant
栅源电压（值）	�30 V
漏源导通电阻	0.032 ohm
工作温度范围	-55C to 175C
包装类型	D2PAK
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏源导通电压	150 V
弧度硬化	No
删除	Compliant