【FDB075N15A N沟道MOSFET出售原装TO263深圳现货供应】价格_批发_厂家_参数_图片_三极管

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FDB075N15A N沟道MOSFET出售原装TO263深圳现货供应

¥7.99

10-99PCS

¥7.50

100-999PCS

¥7.30

≥1000PCS

产品规格

封装形式: TO263

深圳市铭顺信电子有限公司

采通通 7 年资质认证实名企业

18年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

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图文详情

产品属性

Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	800
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	*
漏极至源极电压（VDSS）	150V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	130A
Rds（）@ ID，VGS	7.5 mOhm @ 100A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	100nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	7350pF @ 75V
功率 -	333W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装	D²PAK
包装材料	Tape & Reel (TR)
包装	3D2PAK
通道模式	Enhancement
漏源电压	150 V
连续漏极电流	130 A
RDS -于	7.5@10V mOhm
门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	28 ns
典型上升时间	37 ns
典型关闭延迟时间	62 ns
典型下降时间	21 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
门源电压	±20
包装宽度	9.65(Max)
PCB	2
功率耗散	333000
漏源电压	150
欧盟RoHS指令	Compliant
漏源电阻	7.5@10V
每个芯片的元件数	1
低工作温度	-55
供应商封装形式	D2PAK
标准包装名称	D2PAK
高工作温度	175
渠道类型	N
包装长度	10.67(Max)
引脚数	3
包装高度	4.83(Max)
连续漏极电流	130
封装	Tape and Reel
标签	Tab
铅形状	Gull-wing
FET特点	Standard
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	130A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	4V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	150V
供应商设备封装	TO-263 (D2Pak)
开态Rds（）@ Id ，V GS	7.5 mOhm @ 100A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	333W
输入电容（Ciss ） @ VDS	7350pF @ 75V
闸电荷（Qg ） @ VGS	100nC @ 10V
封装/外壳	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	FDB075N15ACT
工厂包装数量	800
晶体管极性	N-Channel
源极击穿电压	20 V
连续漏极电流	130 A
系列	FDB075N15A
封装/外壳	D2PAK
单位重量	0.046296 oz
RDS（ON）	6.25 mOhms
功率耗散	333 W
下降时间	21 ns
安装风格	SMD/SMT
正向跨导 - 闵	164 S
上升时间	37 ns
漏源击穿电压	150 V
RoHS	RoHS Compliant
栅极电荷Qg	77 nC
栅源电压（值）	�20 V
工作温度范围	-55C to 175C
包装类型	D2PAK
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏源导通电压	150 V
弧度硬化	No