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产品规格
封装形式: TO-3P
| 标准包装 | 100 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流（Ic）（ ） | 17A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（ ） | 200V |
| Vce饱和（ ）@ IB，IC | 2.5V @ 1A, 10A |
| 电流 - 集电极截止（ ） | 100µA (ICBO) |
| 直流电流增益（HFE）（ 小值）@ IC，VCE | 50 @ 8A, 4V |
| 功率 - | 200W |
| 频率转换 | 20MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | 3-ESIP |
| 供应商器件封装 | MT-200 |
| 包装材料 | Bulk |
| 动态目录 | NPN Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-transistors/31731?mpart=2SC3858&vendor=1261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 电流 - 集电极（ Ic）（ ） | 17A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 20MHz |
| 下的Vce饱和度（ ） Ib，Ic条件 | 2.5V @ 1A, 10A |
| 电流 - 集电极截止（ ） | 100µA (ICBO) |
| 标准包装 | 250 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（ ） | 200V |
| 供应商设备封装 | MT-200 |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - | 200W |
| 封装/外壳 | 3-ESIP |
| 直流电流增益（ hFE）（ 小值） Ic，Vce时 | 50 @ 8A, 4V |
| 其他名称 | 2SC3858 DK |
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