【IRF540PBF 功率MOSFET TO220 出售原装深圳现货供应】价格_批发_厂家_参数_图片_集成电路(IC)

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IRF540PBF 功率MOSFET TO220 出售原装深圳现货供应

¥3.99

5-99个

¥3.50

100-499个

¥2.99

≥500个

产品规格

封装: TO220

深圳市铭顺信电子有限公司

采通通 6 年实名企业

17年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

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图文详情

产品属性

标准包装	1,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	100V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	28A
Rds（）@ ID，VGS	77 mOhm @ 17A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	4V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	72nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	1700pF @ 25V
功率 -	150W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB
包装材料	Tube
包装	3TO-220AB
通道模式	Enhancement
漏源电压	100 V
连续漏极电流	28 A
RDS -于	77@10V mOhm
门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	11 ns
典型上升时间	44 ns
典型关闭延迟时间	53 ns
典型下降时间	43 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Through Hole
标准包装	Bulk
标准包装	Rail / Tube
门源电压	±20
包装宽度	4.7(Max)
PCB	3
功率耗散	150000
漏源电压	100
欧盟RoHS指令	Compliant
漏源电阻	77@10V
每个芯片的元件数	1
低工作温度	-55
供应商封装形式	TO-220AB
标准包装名称	TO-220
高工作温度	175
渠道类型	N
包装长度	10.51(Max)
引脚数	3
包装高度	9.01(Max)
连续漏极电流	28
标签	Tab
铅形状	Through Hole
P（ TOT ）	150W
匹配代码	IRF540PBF
R（ THJC ）	1K/W
LogicLevel	NO
单位包	50
标准的提前期	14 weeks
小起订量	1000
Q（克）	72nC
无铅Defin	RoHS-conform
汽车	NO
我（D ）	28A
V（ DS ）	100V
的RDS（on ） at10V	0.077Ohm
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	28A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	4V @ 250µA
供应商设备封装	TO-220AB
其他名称	*IRF540PBF
开态Rds（）@ Id ，V GS	77 mOhm @ 17A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	150W
漏极至源极电压（Vdss）	100V
输入电容（Ciss ） @ VDS	1700pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	72nC @ 10V
封装/外壳	TO-220-3
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
类别	Power MOSFET
配置	Single
外形尺寸	10.41 x 4.7 x 9.01mm
身高	9.01mm
长度	10.41mm
漏源电阻	0.077 Ω
高工作温度	+175 °C
功率耗散	150 W
低工作温度	-55 °C
包装类型	TO-220AB
典型栅极电荷@ VGS	72 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS	1700 pF V @ 25
宽度	4.7mm
漏极电流（值）	28 A
频率（）	Not Required MHz
栅源电压（值）	�20 V
输出功率（）	Not Required W
功率耗散	150 W
噪声系数	Not Required dB
漏源导通电阻	0.077 ohm
工作温度范围	-55C to 175C
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏极效率	Not Required %
漏源导通电压	100 V
功率增益	Not Required dB
弧度硬化	No
连续漏极电流	28 A