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原装正品 IGBT管/IRGP30B120KD 深圳现货供应

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¥ 35.00

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可售数量: 5000PCS

深圳市铭顺信电子有限公司

17年

经营年限

广东深圳

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10.0

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产品属性
标准包装4,000
IGBT 型NPT
电压 - 集电极发射极击穿( )1200V
蒸气云爆炸(上)( 值)”的发展,集成电路4V @ 15V, 60A
集电极电流(Ic)( )60A
当前 - Collector Pulsed (Icm)120A
功率 - 300W
Switching 能源2559µJ
输入 型Standard
栅极电荷169nC
Td(开/关)@ 25°C50ns/210ns
测试条件600V, 25A, 5 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr)300ns
包装材料Bulk
包/盒TO-247-3
安装类型Through Hole
供应商器件封装TO-247AC
包装3TO-247AD
安装Through Hole
标准包装Rail / Tube
供应商封装形式TO-247AD
标准包装名称TO-247-AD
欧盟RoHS指令Compliant
引脚数3
铅形状Through Hole
栅极电荷169nC
电流 - 集电极( Ic)( )60A
安装类型Through Hole
开关能量2559µJ
时间Td(开/关) @ 25°C50ns/210ns
Vce(开) ( 值) Vge,Ic时4V @ 15V, 60A
电压 - 集电极发射极击穿( )1200V
供应商设备封装TO-247AC
反向恢复时间(trr )300ns
封装Bulk
功率 - 300W
输入类型Standard
封装/外壳TO-247-3
IGBT类型NPT
测试条件600V, 25A, 5 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM )120A
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量25
连续集电极电流在25 C60 A
栅 极漏泄电流+/- 100 nA
集电极 - 发射极饱和电压2.28 V
集电极 - 发射极 电压VCEO1200 V
安装风格Through Hole
功率耗散300 W
栅极发射极电压+/- 20 V
低工作温度- 55 C
高工作温度+ 150 C
RoHSRoHS Compliant

IGBT管/IRGP30B120KD【出售@原装】深圳现货.供应示例图2IGBT管/IRGP30B120KD【出售@原装】深圳现货.供应示例图3




IGBT管/IRGP30B120KD【出售@原装】深圳现货.供应示例图4
 

品牌 原装
型号 IRGP30B120KD
种类 绝缘栅(MOSFET)
沟道类型 P沟道
导电方式 增强型
应用范围 功率
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