• 产品
  • 详情
  • 推荐
TPS51116RGER 全新原装DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO TI/德州仪器

收藏

¥ 3.50

1PCS起订

产品规格

可售数量: 35555552PCS

6年

经营年限

广东深圳

所在地区

7.3

综合评分

图文详情
产品属性

描述

 

TPS51116 提供一个用于 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存系统的完整电源。它集成了一个具有 3A 拉电流/灌电流跟踪线性稳压器和经缓冲的低噪声基准的同步降压控制器。该器件在空间受限的系统中提供 低的总解决方案成本。同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频 400kHz、伪恒定频率脉宽调制 (PWM),此控制可在 D-CAP 中配置™易于使用和 快瞬态响应或者电流模式以支持陶瓷输出电容器。3A 拉电流/灌电流 LDO 只需 20μF (2 × 10μF) 陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。此外,LDO 电源输入是外部可用的,这样可大大减少总体功耗。该器件支持所有睡眠状态控制,此类控制在 S3(挂起到 RAM)中将 VTT 置于 high-Z 状态并且在 S4/S5(挂起到硬盘)中将 VDDQ、VTT 和 VTTREF(软关闭)放电。该器件还具有全部保护 特性, 包括热关断保护,并且提供 20 引脚 HTSSOP PowerPAD™封装和 24 引脚 4 × 4 QFN 封装。

特性

 

  • 同步降压控制器 (VDDQ)

    • 宽输入电压范围: 3.0V 至 28V

    • 负载阶跃响应为 100ns 的 D−CAP™ 模式

    • 电流模式选项支持陶瓷输出电容器

    • 支持 S4/S5 状态内的软关闭

    • 利用RDS(on) 或电阻器进行电流检测

    • 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2),可调节至
      1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V(LPDDR3 和 DDR4)或
      输出范围 0.75V 至 3.0V

    • 配备有电源正常、过压保护和欠压保护

  • 3A LDO (VTT),经缓冲基准 (VREF)

    • 拉电流和灌电流的能力达到 3A

    • 提供 LDO 输入以优化功率损耗

    • 只需 20μF 陶瓷输出电容器

    • 经缓冲的低噪声 10mA VREF 输出

    • 针对 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度

    • 在 S3 中支持高阻抗 (high-Z),在 S4/S5 中支持软关闭

    • 热关断


品牌 TI/德州仪器
型号 TPS51116RGER
电源电压 3.0V 至 28V
频率 标准
用途 仪器
功率 标准
特色服务 德州TI全新原装DDR1、DDR2、DD
好货推荐

店铺

收藏

联系

在线咨询
网站也是有底线的
联系电话
  • 18038076660

  • 0755-88600129

联系时请说明
信息来自搜好货网

TPS51116RGER 全新原装DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO TI/德州仪器

¥ 3.50

规格
价格/数量
无规格

¥3.50

35555552PCS可售

* 采购数量
* 联系信息
采购明细

询价单发送成功~

电话联系
立即询价
发送询价
完成
图形验证码
点击图片刷新验证码