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产品规格
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LM 5106是一种高压栅极驱动器，设计用于在同步降压或半桥配置中驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。该浮动高侧驱动器可工作与铁路电压高达100 V。单控制输入与TTL信号电平兼容，单个外部电阻通过紧密匹配的开关延时电路编程开关过渡死区。稳健的电平转换技术在消耗低功耗的同时高速工作，并提供干净的输出转换。当低侧或自举高侧电源电压低于操作阈值时，低压锁定将禁用栅极驱动器。LM 5106是在VSSOP-10或热增强10针WSON塑料封装中提供的。
驱动高侧和低侧N沟道MOSFET 1.8-A峰值输出槽电流1.2-A峰值输出源电流自举供电电压范围高达118伏直流单台TTL兼容输入可编程开关延迟(死区)使输入Pin快速关闭传播延迟(32 Ns)驱动1000 pf，上升15 ns，下降时间10 ns，低功耗WSON 10(4 mm×4mm)和VSSOP-10封装
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