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厂家求购ITO 收购ITO 回收ITO ITO靶材 ITO靶粉

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韶关市金源金属材料有限公司

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ITO (氧化铟锡) 

ITO 是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡,ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标:电阻率和透光率。

在化学上,ITO 是Indium Tin Oxides的缩写。

作为纳米铟锡金属氧化物,具有很好的导电性和透明性,可以切断对人体有害的电子 、紫外线及远红外线。因此,铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上,用作透明导电薄膜,同时减少对人体有害的电子 及紫外、红外。

在氧化物导电膜中,以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率 高和导电性能 ,而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形,其中透光率达90%以上。ITO中其透光率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例来控制,通常SnO2:In2O3=1:9。

目前ITO膜层之电阻率一般在5*10E-4左右, 可达5*10E-5,已接近金属的电阻率,在实际应用时,常以方块电阻来表征ITO的导电性能,其透过率则可达90%以上,ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例控制,增加氧化铟比例则可提高ITO之透过率,通常SnO2: In2O3=1:9,因为氧化锡之厚度超过200Å时,通常透明度已不够好---虽然导电性能很好。

如果是电流平行流经ITO膜层的情形,其中d为膜厚,I为电流,L1为在电流方向上膜厚层长度,L2为在垂直于电流方向上的膜层长度,当电流流过方形导电膜时,该层电阻R=PL1/dL2式中P为导电膜 之电阻率,对于给定膜层,P和d可视为定值,P/d,当L1=L2时,对于正方形膜层,无论方块大小如何,其电阻均为定值P/d,此即方块电阻定义: R□=P/d,式中R□单位为:欧姆/□(Ω/□),由此可得出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低,膜厚越大。

目前在 STN液晶显示屏中所用ITO玻璃,其R□可达10Ω/□左右,膜厚为100-200nm,而一般低档TN产品的ITO玻璃R□为100-300Ω/□,膜厚为20-30nm。

韶关市金源金属材料有限公司  长期高于市场价收购ITO废靶、ITO靶材、ITO废粉、ITO粉、废铟、废铟沙、废铟渣、粗铟、废铟丝、废铟珠、废铟箔、废铟棒、银焊条、银焊丝、导电银胶、金属锗、氧化锗、二氧化锗、 、有机锗等含铟废料。我们有着丰富的经验与技术团队,在同行中处于优先。以 诚信为本,讲信誉,严格为客户保密!

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品名 ITO
牌号 95:5
产地 广西
铟含量≥ 78%
杂质含量 0.01%
重量 10吨
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