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产品规格
封装: SOT-323
批号: 新年份
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 300mA（Ta）
驱动电压（ Rds On， 小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（ 值） 2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（ 值） 2.5V @ 1mA
Vgs（ 值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（ 值） 50pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（ 值） 200mW（Ta）
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-323
封装/外壳 SC-70，SOT-323
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¥ 0.10 ~ ¥ 0.50
- SOT-323
- 新年份
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¥0.10
50000个可售
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