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产品规格
封装: TO-220
批号: 新年份
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 225nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7330pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 230W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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18902849330
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0755-82566826
irfb7437pbfmos管 irfb7437pbf集成芯片 原装irfb7437pbf场效应管 irfb7437pb
¥ 0.10 ~ ¥ 0.50
- TO-220
- 新年份
-
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