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产品规格
封装: PQFN
批号: 新年份
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 85A(Tc)
驱动电压( Rds On, 小 Rds On) 6V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On( 值) 2.4 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)( 值) 3.9V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)( 值) 138nC @ 10V
Vgs( 值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)( 值) 4574pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散( 值) 104W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-PQFN(5x6)
封装/外壳 8-PowerTDFN
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18902849330
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0755-82566826
IRFH7440 h7440mos管 IRFP460PBF irfp4868pbf二三极管 irfp4868pbfmos
¥ 0.10 ~ ¥ 0.50
- PQFN
- 新年份
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