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产品规格
封装: PPAKSO-8
批号: 新年份
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）
驱动电压（ Rds On， 小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（ 值） 2.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（ 值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（ 值） 96nC @ 10V
Vgs（ 值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（ 值） 4365pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散（ 值） 6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
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¥ 0.10 ~ ¥ 0.50
- PPAKSO-8
- 新年份
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