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LG4510磁阻效应实验仪实训装置
研究LG4510磁阻效应实验仪实训装置使用砷化的镓(GaAs)霍尔传感器测量磁感应强度, 研究锑化铟(InSb)磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小.可观测半导体的霍尔效应和磁阻效应两种物理规律,及其作为磁测量不同应用; 仪器提供交变磁场, 可观察磁阻元件的倍频效应, 具有研究性和相关性的实验特点, 适合于基础物理实验和综合性物理实验。
一、实验项目
► 了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法
► 测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系
► 作出锑化铟传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线 并进行相应的曲线和直线拟合
► 学习用磁阻传感器测量磁场的方法
► 观察磁阻元件的倍频效应
二、主要参数
► IM:励磁电流, 直流0~900mA连续可调, 3位半数显
► Is:传感器工作电流,0~2.5mA连续可调, 3位半数显
► 磁场强度测量范围0~999. 9mT, 准确率1%
磁阻电压0~2000mV, 准确率0.5%
► 交流励磁电压:Vp-p>11V, 频率<10Hz
示波器观察到的蝶形效应
出厂价: LG4510 ¥6624.00元

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010-82827835
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1380-126-3538

磁阻效应实验仪实训考核设备 磁阻效应实验仪实训装置 磁阻效应实验仪综合实训台
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