应用领域

Ø 快速热退火 (RTA); 离子注入后退火

Ø 石墨烯等气象沉积，碳纳米管等外延生长

Ø 快速热氧化 (,RTO); 热氮化 (RTN);

Ø 硅化 (Silicidation);

Ø 扩散 (Diffusion);

Ø 离子注入后退火 (Implant Annealing);

Ø 电极合金化 (Contact Alloying);

Ø 晶向化和坚化 (Crystallization and Densification);

主要特点

Ø 极速升温500℃/S，极速降温100℃/S；

Ø 双层炉管结构，气氛与样品接触更均匀；

Ø 直接测量样品表面温度，测温更精准；

Ø 炉膛根据设置可自动左右移动，可以满足更多的实验应用；

  Ø 丰富的扩展接口，能够满足各类试验的需

   求；

型  号

最高

温度

升温速率

℃/S

管 径

处理晶片

加热区

恒温区±2℃

外形尺寸mm

功率

重 量