GBW13655 透射电子显微镜高放大倍率校准用标准物质 1片

GBW(E)130549 多带宽镨钕波长标准物质 1片/盒

吸收峰位置1：878.8nm±0.1nm（带宽 bandwidth2nm）；878.9nm±0.1nm（带宽 3.5nm）；879.8nm±0.1nm（带宽5nm）；

吸收峰位置 2：807.2nm±0.1nm（带宽2nm）；807.2nm±0.1nm（带宽 3.5nm）；807.7nm±0.1nm（带宽 5nm）；

吸收峰位置 3：747.8nm±0.1nm（带宽 2nm）；

吸收峰位置 4：739.1nm±0.1nm（带宽 2nm）；739.5nm±0.1nm（带宽3.5nm）；740.3nm±0.1nm（带宽 5nm）；

吸收峰位置 5：684.8nm±0.1nm（带宽 2nm）；684.7nm±0.1nm（带宽 3.5nm）；685.1nm±0.1nm（带宽5nm）；

吸收峰位置 6：585.7nm±0.1nm（带宽2nm）；585.7nm±0.1nm（带宽 3.5nm）；586.3nm±0.1nm（带宽 5nm）；

吸收峰位置 7：572.5nm±0.1nm（带宽 2nm）；572.6nm±0.1nm（带宽3.5nm）；573.7nm±0.1nm（带宽 5nm）；

吸收峰位置 8：529.7nm±0.1nm（带宽 2nm）；530.1nm±0.1nm（带宽 3.5nm）；531.2nm±0.1nm（带宽5nm）；

吸收峰位置 9：513.5nm±0.1nm（带宽2nm）；513.5nm±0.1nm（带宽 3.5nm）；514.0nm±0.1nm（带宽 5nm）；

吸收峰位置 10：473.4nm±0.1nm（带宽 2nm）；473.5nm±0.1nm（带宽3.5nm）；474.0nm±0.1nm（带宽 5nm）；

吸收峰位置 11：431.2nm±0.1nm（带宽 2nm）；431.3nm±0.1nm（带宽 3.5nm）；432.1nm±0.1nm（带宽5nm）；

吸收峰位置 12：355.5nm±0.1nm（带宽2nm）；

吸收峰位置 13：351.0nm±0.1nm（带宽2nm）；351.3nm±0.1nm（带宽 3.5nm）；353.1nm±0.1nm（带宽 5nm）

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