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AOS万代 AO3415 20V P沟道MOS管 规格书及原理图

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AO3415一般说明:

AO3415使用先进的海沟技术提供的RDS(上),低闸极 电荷和操作门电压1.8 v。本设备适用于负荷开关的应用程 序使用。


AO3415特征:

VDS = 20V

 ID (at VGS=-4.5V) -4A 

 RDS(ON) (at VGS= -4.5V) < 41mΩ 

 RDS(ON) (at VGS= -2.5V) < 53mΩ 

 RDS(ON) (at VGS= -1.8V) < 65mΩ

 ESD protected




答:RθJA的值是通过将设备安装在2盎司1英寸2 FR-4板上的测量得到的。 铜,在TA = 25°C的静止空气环境中。 任何给定应用中的值取决于用户的特定电路板设计。 额定电流基于t≤10s的热阻额定值。 B:重复额定值,脉冲宽度受结温限制。

C. RθJA是结到引线RθJL和引线到环境的热阻之和。

D.图1至图6中的静态特性是使用<300 µs脉冲获得的,占空比最大为0.5%。

E.这些测试是在设备安装在2盎司1英寸2 FR-4板上的情况下进行的。 在T A = 25°C的静止空气环境中的铜。 SOA曲线提供单个脉冲额定值。


AO3415采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON),低栅极电荷,并且可在低至1.8V的栅极电压下运行。 该设备适合用作负载开关应用。



本文由 深圳市泰德兰电子有限公司 网编通过AO3415英文规格书翻译中文整理分享,由于泰德兰电子长期代理电源ic,快充ic芯片,mos管等芯片,所以对这版块的相关技术知识进行分享,欢迎大家下方留言互动。

网站链接:http://www.tdldz.com/proData_229_2296.html


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