松木ME15N10 / ME15N10-G N通道100V（D-S）MOSFET

ME15N10一般说明：

ME15N10是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 高密度工艺经过特别设计，可 程度地降低导通电阻。 这些设备特别适合于低电压应用，例如蜂窝电话，笔记本计算机电源管理和其他电池供电的电路，以及非常小的外形表面安装封装所需的低在线功率损耗。

ME15N10特征：

●RDS（ON）≦100mΩ@ VGS = 10V

●超高密度电池设计，可实现极低的R DS（ON）

●出色的导通电阻和 直流电流能力

ME15N10应用领域：

●笔记本中的电源管理

●DC / DC转换器

●负荷开关

●液晶显示逆变器

本文由 深圳市泰德兰电子有限公司 网编通过ME15N10英文规格书翻译中文整理分享，由于泰德兰电子长期代理电源ic，快充ic芯片，mos管等芯片，所以对这版块的相关技术知识进行分享，欢迎大家下方留言互动。