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铜、 钽、 铝、 钛、 钴、 钨、钼、铌等, 高纯金属靶材 半导体生产用 溅射靶材 导体芯片 离子溅射 气相沉积靶材,高纯溅射靶材主要是指纯度为99.9%-99.9999%(3N-6N之间)的金属或非金属靶材,应用于电子元器件制造的物理-气象沉积(PVD)工艺,是制备晶圆、面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。
溅射是制备薄膜材料的主要技术之一,它利用离子源产生的离子,在真空中经过加速聚集而形成高速的离子束流,轰击固体表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面,被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料。

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18132191650
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0319-5708114

铜 钽 铝 钛 钴 钨 高纯金属靶材 半导体生产用 溅射靶材 导体芯片 离子溅射 气相沉积靶材
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