松木ME4411-G，P沟道30V (D-S) MOSFET（代替）长电CJQ4407S mos管

ME4411-G一般说明

ME4411-G 是 P 通道逻辑增强模式电源场效应晶体管是使用高单元密度 DMOS 生产的沟槽技术。 这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。 这些设备特别适合适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路需要高侧开关和低在线功率损耗的地方非常小的外形表面贴装封装。

ME4411-G特征

● RDS(ON)≦10mΩ@VGS=-10V

● RDS(ON)≦13mΩ@VGS=-4.5V

● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低

● 出色的导通电阻和最大直流电流能力

ME4411-G应用

● 笔记本电源管理

● 便携设备

● 电池供电系统

● DC/DC 转换器

● 负载开关

● DSC

● LCD 显示逆变器

松木ME4411-G，P沟道30V (D-S) MOSFET（代替）长电CJQ4407S mos管

CJQ4407S封装是SOP8

CJQ4407S描述

CJQ4407S 结合了先进的沟槽 MOSFET 技术采用低电阻封装以提供极低的 RDS(ON)。 这

设备是负载开关和电池保护应用的理想选择应用

z 电池保护应用

z 负载开关

阅读我的更多文章

• °松木ME3587-G（替代）新洁能NCE6602，N和P沟道增强型功率MOS管方案

• °松木ME2307/ME2307-G（替代）AOS万代AO3407A/AO3407正品P沟道30V

• °松木ME2306A/ME2306A-G （替代）新洁能NCE3400A SOT-23 塑封 MOS管