P 沟道 30V (D-S) MOSFET

ME4411-G一般说明

ME4411-G 是 P 通道逻辑增强模式电源场效应晶体管是使用高单元密度 DMOS 生产的沟槽技术。 这种高密度工艺特别适用于zui小化导通电阻。 这些设备特别适合适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路需要高侧开关和低在线功率损耗的地方非常小的外形表面贴装封装。

ME4411-G特征

● RDS(ON)≦10mΩ@VGS=-10V

● RDS(ON)≦13mΩ@VGS=-4.5V

● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低

● 出色的导通电阻和最da直流电流能力

ME4411-G应用

● 笔记本电源管理

● 便携设备

● 电池供电系统

● DC/DC 转换器

● 负载开关

● DSC

● LCD 显示逆变器

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NCE30P15S描述

NCE30P15S 采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)，该设备适合用作负载开关或在 PWM 应用中。

NCE30P15S一般特征

● VDS = -30V,ID = -15A

RDS(ON) < 12mΩ @ VGS=-10V

● 高功率和电流处理能力

● 获得无铅产品

● 表面贴装封装

NCE30P15S应用

● PWM 应用

● 负载开关

● 不间断电源

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