ME4435一般说明

ME4435 是采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产的 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理以及其他需要在非常小的外形表面贴装封装中实现高侧开关和低在线功率损耗的电池供电电路。

ME4435特征

● RDS(ON)≦20mΩ@VGS=-10V

● RDS(ON)≦35mΩ@VGS=-4.5V

● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低

● 出色的导通电阻和最大直流电流能力

ME4435应用

● 笔记本电源管理

● 便携设备

● 电池供电系统

● DC/DC 转换器

● 负载开关

● DSC

● LCD 显示逆变器

【松木MOS管ME4435/ME4435-G(替代)NCE4435 P沟道增强型功率 MOSFET方案】

NCE4435描述

NCE4435 采用先进的沟槽技术提供出色的 RDS 、低栅极电荷和栅极操作电压低至 4.5V。

NCE4435一般特征

● VDS = -30V,ID = -9.1A

● RDS < 35mΩ @ VGS=-4.5V

● RDS < 20mΩ @ VGS=-10V

高功率和电流处理能力

收购无铅产品

表面贴装封装

NCE4435应用

● 电池开关

  负荷开关

  能源管理

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