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MOSFET/JFET击穿电压测试仪器

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1台起订

产品规格

可售数量： 10000台

武汉普赛斯仪表有限公司

7年

经营年限

湖北武汉

所在地区

7.5

综合评分

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图文详情

产品属性

MOSFET/JFET击穿电压测试仪器认准武汉生产厂家普赛斯仪表，S系列源表是普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、数字触摸的率先国产化的源表，集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大输出电压达300V，Z小电流分辨率10pA，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中:半导体IC或元器件，功率器件，传感器，有机材料与纳米材料等特性测试和分析。

普赛斯仪表自主研发的高精度台式数字源表、插卡式源表、窄脉冲电流源、VCSEL测试系统等，填补国产空白。主要应用于半导体器件的测试工艺，为客户提供模块化硬件、G效驱动程序和G效算法软件组合，帮助用户构建自定义解决方案。为半导体封测厂家提供相关测试仪表、测试平台，以及相关技术服务，满足行业对测试效率、测试精度，以及低成本的挑战。

武汉普赛斯将以服务客户为中心，追求可持续发展，精益求精，坚持不懈，努力将自身打造成行业杆。

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MOSFET/JFET击穿电压测试仪器简介

S 系列源表是普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、数字触摸的率先国产化的源表，集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大输出电压达 300V ，Z小测试电流达 100pA ，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中 : 半导体 IC 或元器件，功率器件，传感器，有机材料与纳米材料等特性测试和分析。

S100/S200/S300型源表特点

5 寸 800*480 触摸显示屏，全图形化操作

内置强大的功能软件，加速用户完成测试，如LIV 、 PIV

源及测量的准确度为0.1% ，分辨率 5 数位

四象限工作（源和肼），源及测量范围：电流100pA~1A ，电压 0.3mV~300V

丰富的扫描模式，支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描

支持USB 存储，一键导出测试报告

支持多种通讯方式，R S-232 、GPIB 及以太网

S100/S200/S300型源表 技术参数

量大输出功率：30W，四象限源和肼模式

源限度	电压源: +30V (≤1A量程) , +300V (≤100mA量程) ;
电流源	士1.05A(≤30V量程)，+105mA (≤300V量程) ;
过量程	105%量程,源和测量;
稳定负载电容	<22nF ;
宽带噪声(20MHz)	2mV RMS(典型值)，<20mV Vp-p(典型值);
线缆保护电压	输出阻抗1KΩ ,输出电压偏移<80uV ;
Z大采样速率	1000采样点/秒;
触发	支持IO触发输入及输出,触发极性可配置;
输出接口	前后面板香蕉头插座输出,同一时刻只能用前或者后面板接口;
通信口	RS-232、GPIB、以太网;
电源	AC 100~ 240V 50/60Hz ;
工作环境	25+10°C ;
尺寸	106mm高x 255mm宽x 425mm长;
重量	5Kg ;
质保期	1年;

电压及电流精度： (不同型号电压量程由差异，以选型指南为准)

电压	源		测量
量程	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)	分辨率	准确度±(% rdg.+volts)
300mV	30uV	0.1%±300uV	30uV	0.1%±300uV
3V	300uV	0.1%±500uV	300uV	0.1%±500uV
30V	3mV	0.1%±3mV	3mV	0.1%±3mV
300V	30mV	0.1%±30mV	30mV	0.1%±30mV
电流	源		测量
量程	分辨率	准确度±(% rdg.+A)	分辨率	准确度±(% rdg.+A)
100nA	10pA	0.1%±0.5nA	10pA	0.1%±0.5nA
1uA	100pA	0.1%±3nA	100pA	0.1%±3nA
10uA	1nA	0.1%±5nA	1nA	0.1%±5nA
100uA	10nA	0.1%±50nA	10nA	0.1%±50nA
1mA	100nA	0.1%±300nA	100nA	0.1%±300nA
10mA	1uA	0.1%±5uA	1uA	0.1%±5uA
100mA	10uA	0.1%±20uA	10uA	0.1%±20uA
1A	100uA	0.1%±2mA	100uA	0.1%±2mA