【金源诚信为王一手高价昆明回收锗锗锭锗粉】价格_批发_厂家_参数_图片_锗

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金源诚信为王一手高价昆明回收锗锗锭锗粉

¥38800.00

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¥25800.00

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产品规格

可售数量： 10000条

韶关市金源金属材料有限公司

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6年

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广东韶关

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金源诚信为王一手高价昆明回收锗锗锭锗粉，韶关市金源金属材料有限公司，专业生产厂家定制生产各种规格红外光学锗片Ge、锗粉、锗单晶片、锗锭、区熔锗锭、锗泥、锗棒、锗颗粒、二氧化锗、四Lu化锗、有机锗等产品。

韶关市金源金属材料有限公司

李总，138，2631，0980

广东省韶关市浈江区北郊韶关市科技企业创业园

回收服务理念：始于客户需求，终于客户满意。

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锗是一种重要的半导体材料，用于制造晶体管及各种电子装置，是代晶体管材料。锗在红外光学领域的年消费量占所有领域消费量的20-30%，主要作为红外光学系统中的透镜、棱镜、窗口、滤光片等的光学材料。近些年，在红外光学和半导体材料的强劲需求刺激下，我国锗生产技术能力提升迅速，目前国内企业已经能够生产光纤级、红外级、太阳能级锗系列产品。

本发明锗单晶的生长方法与提拉法有相似之处，例如均可观察晶体生长情况、晶体生长过程中均保持提拉状态、坩埚不与晶体接触，避免了寄生成核等。

除此之外，本方法还有如下优点：1、降温时，晶体不被拉出坩埚，应力更小，有利于提高晶体尺寸；2、晶体的温度梯度小，有利于减少晶体应力，提高晶体质量；3、晶体的拉速较慢，机械扰动较小，有利于提高晶体质量；4、晶体的生长界面为凸界面，有利于排杂；5、晶体生长结束后，引晶部分和坩埚内余料中杂质较多，需要回收，其余部位的晶体具有较高的纯度，晶体的利用率高。

本发明锗单晶的生长方法，具有晶体尺寸大、结晶性能良好、无开裂、多晶等缺陷，成品率较高等优点，推广该方法，能产生显著的经济效益。金源诚信为王一手高价昆明回收锗锗锭锗粉

金源诚信为王一手高价昆明回收锗锗锭锗粉将100kg原料放入直径300mm，高度320mm的圆柱状石墨坩埚中，置石墨坩埚于单晶炉内，单晶炉内有石墨发热体和碳毡，将单晶炉内抽真空至气压值为0.0001Pa。单晶炉内温场温度梯度为5℃/cm。籽晶、籽晶杆、提拉电机、称重传感器相连，并通过称重传感器控制晶体生长速度，在真空氛围下利用籽晶在一定的温场梯度下经过引晶过程、放肩过程、等径生长过程、收尾过程、降温过程形成锗单晶。引晶过程中，控制晶体拉速为10mm/h；控制晶体生长速度为30g/h；晶体直径为30mm，引晶阶段晶体总重量为原料总重的1%。放肩过程中，维持拉速在0.3mm/h；控制晶体生长速度由30g/h逐步增加到2000g/h；晶体直径放大到与坩埚尺寸相近，但不与坩埚接触；籽晶与肩部的夹角为60°。等径过程中，维持拉速在0.3mm/h；控制晶体生长速度为2000g/h。当晶体重量与原料的量之差小于2kg时，进入收尾阶段，并且手动控制拉速，拉速在100mm/h。降温时拉速为0，降温速率为20℃/h。

金源一手厂家待人以诚昆明回收锗单晶锗锗片目前锗单晶的生长方法主要有单晶提拉法、水平布里奇曼法和VGF法三种。其中，单晶提拉法是常用的锗单晶生长方法，具有长晶过程可视化、成品率高、晶体生长自动化程度高、晶体与坩埚不接触，避免了坩埚寄生成核等缺陷的产生。但同时，提拉法要求坩埚直径在晶体直径的2倍以上。因此，提拉法难以生长具有较大尺寸的锗单晶。水平布里奇曼法具有晶体生长速度快、成本低等优点，但由于晶体为D型，利用率低，难以生长较大尺寸的锗单晶。VGF法的晶体直径与坩埚相同，理论上可以生长较大尺寸的锗单晶。但这种方法坩埚与晶体相接处，容易寄生成核，此外，VGF法生长的晶体多为凹界面，难以保证晶体成品率。将10kg原料放入直径100mm，高度300mm的圆柱状石墨坩埚中，置石墨坩埚于单晶炉内，单晶炉内有石墨发热体和碳毡。将单晶炉内抽真空至气压值为0.0005Pa。单晶炉内温场温度梯度为2℃/cm。籽晶、籽晶杆、提拉电机、称重传感器相连，并通过称重传感器控制晶体生长速度。在真空氛围下利用籽晶在一定的温场梯度下经过引晶过程、放肩过程、等径生长过程、收尾过程、降温过程形成锗单晶。引晶过程中，控制晶体拉速为5mm/h；控制晶体生长速度为10g/h；晶体直径为20mm，引晶阶段晶体总重量为原料总重的0.5%。放肩过程中，维持拉速在0.1mm/h；控制晶体生长速度由10g/h逐步增加到500g/h；晶体直径放大到与坩埚尺寸相近，但不与坩埚接触；籽晶与肩部的夹角为80°。等径过程中，维持拉速在0.1mm/h；控制晶体生长速度为500g/h。当晶体重量与原料的量之差为250g时，进入收尾阶段，并且手动控制拉速，拉速在10mm/h。降温时拉速为0，降温速率为50℃/h。