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纯 度(%):99.999 |
熔 点(oC):937.4 |
密 度(g/cm3):5.35 |
密封保存于阴凉干燥处,防止受潮和氧化。可按普通货物运输,非危险品。
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微信同号(李生138,2631,0980)
锗在室温下是稳定的,但也会生成GeO单层膜,时间长了会逐渐变成GeO2单层膜。而当锗的表面吸附了水蒸气便破坏了氧化膜的钝化性质,而生成厚的氧化物。
锗在较高温度下便氧化,且伴随有失重的现象,原因是生成了GeO,因其有较强的挥发性。 研究者研究了锗表面氧化的过程,先在600℃时用CO还原锗,以排除锗表面的结合氧或吸附氧。再在25~400℃,10kPa的氧压下氧化锗,仅1min即形成了*氧化层。当温度超过250℃很快形成 氧化层。再升高温度,氧化速度显著变慢。在400℃氧化3h,形成厚度为1.75nm的GeO2膜。
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