Features

-20V/-4.5A,

Ros（ON）=32mQ 仃 ypJ@VGS=-4.5V Rds（on）=42mQ 仃 “.[©VgshJ.SV

Rds（ON）=53mO 仃 yP・）@VGs"・8V

Low Rds（on）

Super High Dense Cell Design

Reliable and Rugged

ESD Protected （HBM>4000V）

Applications

Load Switch

产品特征：

-20V/-4.5A,

Ros（ON）=32mQ 仃 ypJ@VGS=-4.5V Rds（on）=42mQ 仃 “.[©VgshJ.SV

Rds（ON）=53mO 仃 yP·）@VGs"·8V

低路（开）

超高密度电池设计

可靠且坚固

ESD保护（HBM>4000V）

产品应用：

负载开关

阅读我的更多文章

• °冠禹半导体KS2322EB单 P沟道高级功率 MOSFET解决方案！

• °元拓DFNP5*6封装-YT65N15A-650V氮化镓芯片解决方案！

• °WR0332-28A50R高精度、低噪声、高速、低压差 CMOS 线性稳压器方案！