【DSX530GA智能手机晶振,KDS晶振,1C710000CE1A无源谐振器,5032mm贴片晶体】价格_批发_厂家_参数_图片_压电晶体、频率元件

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DSX530GA智能手机晶振,KDS晶振,1C710000CE1A无源谐振器,5032mm贴片晶体

¥0.90

3000-5999个

¥0.75

≥6000个

产品规格

可售数量： 77000个

深圳市泰河盛电子有限公司

采通通 2 年实名企业

5年

经营年限

广东深圳

所在地区

10.0

综合评分

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图文详情

产品属性

DSX530GA智能手机晶振,KDS晶振,1C710000CE1A无源谐振器,5032mm贴片晶体，日本KDS进口晶振，耐热性优异，高精度、高可靠性(面向通信用途的经年变化±1×10-6/年，±3×10-6/也可以支持5年)，符合AEC-Q200标准，用途：通信设备晶振、DVC、DSC、PC等小型设备，车载无线及无钥匙入口，如无线局域网晶振、蓝牙模块晶振，车载晶振，GPS/GNSS、安全装置、多媒体设备等车载用途(符合AEC-Q200标准)。

DSX530GA智能手机晶振,KDS晶振,1C710000CE1A无源谐振器,5032mm贴片晶体,参数图

項目型名

DSX530GA

周波数範囲

10MHZ

9 ~ 12MHz

12 ~ 40MHz

40 ~ 54MHz

オーバトーン次数

Fundamental

負荷容量

8pF

励振レベル

10μW（300μW max.）

周波数許容偏差

±25×10−6 （at 25℃)

直列抵抗

150Ω max.

100Ω max.

50Ω max.

周波数温度特性

±50×10−6 / −30 ~＋85℃（Ref. to 25℃)

保存温度範囲

−40 ~＋85℃

梱包単位 (1)

1000pcs./reel(φ180）

(1) 防湿梱包管理が不要

この他の仕様、または特殊仕様については営業窓口にお問い合わせください。

DSX530GA智能手机晶振,KDS晶振,1C710000CE1A无源谐振器,5032mm贴片晶体,尺寸图

DSX530GA智能手机晶振,KDS晶振,1C710000CE1A无源谐振器,5032mm贴片晶体
存储事项
    (1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶体产品时，会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些晶体产品，并在开封后尽可能进行安装，以免长期储藏。
    正常温度和湿度：
    温度：+15°C 至 +35°C，湿度 25 % RH 至 85 % RH（请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容）。
    (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。
    安装时注意事项
    耐焊性
    加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接晶体产品，建议使用"1C208000BB0B"SMD晶体产品。在下列回流条件下，对晶体产品甚至SMD产品使用更高温度，会破坏产品特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些产品之前，应检查焊接温度和时间。同时，在安装条件更改的情况下，请再次进行检查。如果需要焊接的晶体产品在下列配置条件下进行焊接，请联系我们以获取耐热的相关信息。

（1）柱面式产品和DIP产品
    型号焊接条件
    [ 柱面式 ]
    C-类型，C-2-类型，C-4-类型 +280°C或低于@ 值5 s
    请勿加热封装材料超过+150°C
    [ 柱面式 ]
    CA-301
    [ DIP ]
    SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
    RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@ 值 10 s
    请勿加热封装材料超过+150°C
    (2)SMD产品回流焊接条件（实例）
    用于JEDEC J-STD-020D.01回流条件的耐热可用性需个别判断。请联系我们以便获取相关信息。
    尽可能使温度变化曲线保持平滑

品牌	贴片晶振	型号	尺寸	频率
KDS晶振	1C240000AB0G	DSX321G	3225	40.000M
KDS晶振	1C241600CDAA	DSX321G	3225	41.6M
KDS晶振	1N227000BB0AK	DSX321G	3225	27.000M
KDS晶振	1N230000AB0C	DSX321G	3225	30.000M
KDS晶振	1N240000AB0J	DSX321G	3225	40.000M
KDS晶振	1N227000EE0L	DSX321G	3225	27.000M
KDS晶振	1N226000AA0L	DSX321G	3225	26.000M
KDS晶振	1N226000AA0G	DSX321G	3225	26.000M
KDS晶振	1N226000AA0E	DSX321G	3225	26.000M
KDS晶振	1C228322EE0D	DSX321G	3225	28.322M
KDS晶振	1C254000CC0C	DSX321G	3225	54.000M
KDS晶振	1C319200AA0A	DSX321G	3225	19.200M
KDS晶振	1C338400AA0B	DSX321G	3225	38.400M
KDS晶振	1C227000BBAH	DSX321G	3225	27.000M
KDS晶振	1C208000CE0H	DSX321G	3225	8.000M
KDS晶振	1N232000AA0N	DSX321G	3225	32.000M
KDS晶振	7AD01200A1R	DSX321G	3225	12.000M
KDS晶振	1C216000BF0B	DSX321G无源晶振	3225	16.000M
KDS晶振	7AD00800A1C	DSX321G	3225	8.000M
KDS晶振	1N226000AB0J	DSX321G	3225	26.000MHZ
KDS晶振	1N227000AB0N	DSX321G	3225	27MHZ
KDS晶振	1C226000BE0D	DSX321G	3225	26MHZ
KDS晶振	1C216384BE0D	DSX321G	3225	16.384MHZ
KDS晶振	1C224576AC0A	DSX321G	3225	24.576MHZ
KDS晶振	1C210000EK0C	DSX321G	3225	10.000MHZ
KDS晶振	1N226000AB0M	DSX321G	3225	26MHZ
KDS晶振	1N340000LA0B	DSX321G	3225	40.000MHZ
KDS晶振	1C340000LA0A	DSX321G	3225	40.000MHZ
KDS晶振	1C233333BC0G	DSX321G	3225	33.333333MHZ
KDS晶振	1C214745CE0E	DSX321G	3225	14.7456MHZ
KDS晶振	1C262400BK0A	DSX321G	3225	62.4MHZ
KDS晶振	1N226000AA0AE	DSX321G	3225	26.000M
KDS晶振	1N215974EE0B	DSX321G	3225	15.9744M

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