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产品规格
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磁阻效应综合实验仪型号:HLD-MRE-II库号：M405325
本仪器采用两种材料的传感器： （GaAS）霍尔传感器和锑化铟（InSb）传感器，可研究半导体的霍尔效应和磁阻效应两种物理实验规律。仪器具有研究性和设计性两大特点，可用于理工科大学的基础性物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验。
技术参数：
1、励磁恒流源：0～1.0A连续可调，分辨率1mA，三位半数字显示；
2、恒流输出电流：0～3mA，连续可调，供锑化铟传感器工作的电流；
3、电压表：量程0～1999.9mV，分辨率0.1mV，四位半数字显示；，
4、数字式毫特仪：四位半数字显示，测量范围0～1000mT，分辨率0.1 mT；
5、交流励磁电压VP-P≥12V,频率≤10HZ；
6、电磁铁，缝隙约5mm；
7、移动尺装置：横向移动距离0～40mm；
8、仪器采用进口多圈电位器；
9、励磁电流采用六脚船型换向开关；
实验内容：
1、研究磁阻传感器电阻与磁感强度的曲线；
2、了解磁阻传感器的工作原理；
3、测量电磁铁气隙处X方向磁场强度的分布；
4、观察磁阻元件的倍频效应。
重量约10kg左右
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磁阻效应综合实验仪型号:HLD-MRE-II库号：M405325
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