【高校科研等离子薄膜仪PECVD制备薄膜材料等离子体 PECVD模块】价格_批发_厂家_参数_图片_其他试验机

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高校科研等离子薄膜仪PECVD制备薄膜材料等离子体 PECVD模块

¥36800.00

1-2台

¥26800.00

≥3台

产品规格

可售数量： 888台

郑州科创实验仪器设备有限公司

8年

经营年限

河南郑州

所在地区

7.5

综合评分

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产品属性

PECVD制备薄膜材料

PECVD，全称Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，是一种借助于辉光放电等方法产生等离子体，用于制备薄膜材料的新技术。其核心在于利用含有薄膜组成的气态物质在高温下发生化学反应，生成所需的薄膜材料。#全民AI创作节#在PECVD中，等离子体的高电子密度和高温使得含有薄膜组成的气态物质得以发生化学反应。这种反应不仅在常温下难以进行，而且需要消耗大量的能量。然而，PECVD通过非平衡等离子体的反应特性，改变了反应体系的能量供给方式，从而实现了低温下进行化学气相沉积的目标。相比传统的CVD系统，PECVD具有诸多优势。首先，其工艺流程简单，操作方便，无需复杂的设备和工艺即可实现薄膜材料的制备。其次，PECVD的生长温度更低，这不仅降低了材料的制备温度，还对材料的性能和纯度有着积极的影响。此外，PECVD的辉光均匀等效，薄膜均匀沉积，使得制备的薄膜材料具有更好的质量和均匀性。总的来说，PECVD技术以其独特的优势和特点，为薄膜材料的制备提供了一种新的途径和方法。随着科技的不断进步和应用领域的不断拓展，PECVD技术将在未来的材料科学领域中发挥更加重要的作用。

PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单，与传统CVD系统比较，生长温度更低，管辉光均匀等效，薄膜均匀沉积。

KT-PE150S 性能参数

型号	KT-PE150S	KT-PE500Z
信号频率	13.56MHz±0.005%
功率输出范围	0-150W	0-500W
功率稳定度	≤5W
反射功率	40W
射频输出接口	7/16,female 50 Ω
功率稳定度	≤5W
匹配方式	手动调节匹配	500W自动匹配
耦合方式	电感式耦合
辉光压力	≤30Pa
供电电压	50/60Hz 220v±10%
整机效率	≥70%
冷却方式	强制风冷
支持炉管直径	φ25-φ80	φ25-φ150
感应区	210mm
整机重量	48KG
整机尺寸:H x W x D(mm)	600 x 600x 1100