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三乙基铟Triethylindium

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高纯三乙基铟是金属有机化学气相沉积(简称MOCVD)、金属有机分子束外延(简称MOMBE)等技术生长半导体微结构材料的铟源。在半导体工业中,它单独或与至少一种第五主族元素(主要是磷和砷)的气态氢化物沉积到合适的晶体基质上,可制成性能极其优良的半导体材料,在国外被广泛应用于电子工业中制造红外控测器、微波振荡器、半导体光发射二级管等的核心原件。

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三乙基铟Triethylindium

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