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产品规格
封装: TO-220
批号: 新年份
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）
驱动电压（ Rds On， 小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（ 值） 23 毫欧 @ 29A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（ 值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（ 值） 60nC @ 10V
Vgs（ 值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（ 值） 1360pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（ 值） 110W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
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¥14.00
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¥5.00
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¥30.00
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¥1.32
SMCJ16A SMC(DO-214AB) TVS 贴片瞬态抑制二极管 JINGDAO/晶导微
¥0.70
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18902849330
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0755-82566826
IRFZ44N IRFZ44E 直插TO-220 N沟道 60V 48A MOS场效应管 IR品牌
¥ 0.75 ~ ¥ 1.00
- TO-220
- 新年份
-
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